Ana səhifə »  Elm »  ÜMUMBƏŞƏRİ ƏHƏMİYYƏTLİ YENİ AZƏRBAYCAN ELMİ
A+   Yenilə  A-
ÜMUMBƏŞƏRİ ƏHƏMİYYƏTLİ YENİ AZƏRBAYCAN ELMİ
Ümummilli liderimiz Heydər Əliyevin memarı olduğu müstəqil respublikamızda möhtərəm Prezidentimiz İlham Əliyevin mütərəqqi daxili və xarici siyasəti və məqsədyönlü fəaliyyəti sayəsində böyük nailiyyətlər əldə edilir. Ölkəmizin sosial-iqtisadi, ictimai-siyasi, humanitar, hərbi və digər sahələrlə yanaşı, elm və təhsil sahələrində də əldə edilən böyük uğurlar cəmiyyətdə iftixarla qarşılanır, elmi-pedaqoji ictimaiyyətdə fədakarlıq hissi oyadır.
Dövlətimizin həyata keçirdiyi islahatlar, çoxsaylı proqramlar və layihələr nəticəsində təhsil sistemimizdə müasir tələblərə uyğun maddi-texniki baza yaradılmış, orta və ali məktəblər üçün elm və texnikanın son nailiyyətləri və milli-mənəvi dəyərlərimiz əks olunan dərsliklər və dərs vəsaitləri yazılmış, müasir informasiya - kommunikasiya texnologiyaları tədris proseslərinə daxil edilmiş və çoxfunksiyalı elektron qurğularla, mütərəqqi proqramlar və metodikalarla, yüksək ixtisaslı kadrlarla təchiz olunmuş Dövlət Tələbə Qəbulu Komissiyası kimi müasir Dövlət Elektron Mərkəzi yaradılmış, ali təhsil sistemimiz bakalavriant-magistratura ikisəviyyəli dünyəvi təhsil sisteminə keçmiş, beynəlxalq Boloniya bəyannaməsinə qoşulmuş və bu kimi çoxsaylı mühüm işlər görülmüşdür. Ölkəmizdə mövcud elm və təhsil prosesini professionallıqla təhlil edərək, mübaliğəsiz demək olar ki, təhsil sistemimizin müasir dünyəvi təhsil sistemi kimi fəaliyyət göstərməsi üçun artıq, zəruri təminat yaranmışdır.
Ölkəmizdə elmi-pedaqoji fəaliyyət üçün yaradılmış münbit şəraitdə təhsil sisteminin hərəkətverici qüvvəsi olan, elm sahəsində də samballı uğurlar qazanılmışdır. O cümlədən, müasir elektron texnikasının istinasız olaraq bütün cihaz və qurğularında, qismən mikroelektronikada və nanotexnologiyada, diskret yarımkeçirici cihazlar və inteqral sxem komponentləri kimi geniş istifadə olunan və fiziki xassələri beynəlxalq miqyasda yarım əsrdən çoxdur ki, geniş tədqiq edilən metal-yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elektrik sahəsinin yaranma hadisəsi kəşf edilmişdir. Azərbaycanın inkişaf tarixində ilk olan və indiyə qədər elmə məlum olmayan bu yeni fiziki hadisə beynəlxalq aləmdə elmi-texniki tərəqqinin yeni mərhələyə keçməsinə elmi əsas yaratmış və ölkəmizi, elmi kəşflərilə yüksək reytinq qazanmış qüdrətli dövlətlər sırasına çıxarmışdır.
Haqqında bəhs etdiyimiz yeni fiziki hadisə Bakı Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsində, məqalə müəllifinin elmi rəhbərliyilə uzun illərdən bəri yerinə yetirilən real (kontakt səthi məhdud olan) metal-yarımkeçirici kontakt hadisələrinin elmi-tədqiqat işi nəticəsində aşkar edilmişdir. Belə ki, həyata keçirilən əhatəli və dərin nəzəri araşdırmalar və fundamental eksperimental ölçmələrlə müəyyən edilmişdir ki, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda, onların hazırlanma texnologiyasından və kontakt materiallarının təbiətindən asılı olmayaraq, kontakt səthinin məhdudluğu hesabına əlavə elektrik sahəsi yaranır. Bu elektrik sahəsi, məşhur alman alimi Şottki tərəfindən ideal (kontakt səthi qeyri-məhdud olan) metal-yarımkeçirici kontaktlar üçün müəyyən edilmiş əsas elektrik sahəsi tərtibində olur və kontaktın funksional imkanlarının reallaşmasında fəal rol oynayır. Bu yeni fiziki hadisə haqqında “Metal - yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elekrik sahəsinin yaranması” adlı məqalə 1999-cu ildə Azərbaycan Respublikası Müəlliflik Hüququ Agentliyində qeydə alınmışdır (Müəlliflik Şəhadətnaməsi, Bakı, 1999, №05, 10 s.). Bununla belə, 2001-ci ildə əlavə elektrik sahəli metal-yarımkeçirici kontakt əsasında əks cərəyanı olmayan yarımkeçirici diod ixtira edilmiş və ona mərhum akademik Azad Mirzəcanzadənin şəxsi təqdimatı ilə Patent verilmişdır (“Yarımkeçirici diod”, Azərbaycan Milli Patent Ekspertiza Mərkəzi, 1999, Patent nömrəsi 2001- 0133), sonra isə davamı olaraq daha beş ixtira edilmişdir.
O zaman, əlavə elekrik sahəsini bilavasitə ölçmək üçün cihaz mövcud olmadığından, bu fiziki hadisənin doğruluğu elektrofiziki və termoelektrik eksperimental metodlarla təsdiq edilmişdir. Əlavə elekrik sahəli metal-yarımkeçirici kontaktların işlək energetik modelləri və cərəyan axma mexanizmləri işlənib hazırlanmışdır. Real metal-yarımkeçirici kontaktların elektrofiziki və konstruktiv parametrlərinin effektiv qiymətlərinin təyini üsulları ixtira edilmişdir. (“Şottki diodlarının perferiya cərəyanlarının və effektiv kontakt sahələrinin ölçülməsi üsulları”, Azərbaycan Milli Patent Ekspertiza Mərkəzi, 2000, Patent nömrəsi 2000 - 0052 və Patent nömrəsi 2000 - 0112). Əlavə elekrik sahəli metal-yarımkeçirici kontaktlar əsasında mövcud yarımkeçirici cihazların təkmilləşdirilməsinin və yeni sinif yarımkeçirici cihazların yaradılmasının fiziki əsasları müəyyən edilmişdir. Bu və digər mühüm orijinal elmi məlumatlar əsasında, dünya ədəbiyyatında ilk və yeganə olan “R.Q.Məmmədov, Əlavə elektrik sahəli metal-yarımkeçirici kontaktlar, Bakı, BDU, 2003, 231 s.” adlı rus dilində monoqrafiya yazılmış və o, sərbəst istifadə üçün internetdə yerləşdirilmişdir. Yarımkeçiricilər fizikası və elektronikası sahəsində “Əlavə elektrik sahəli metal-yarımkeçirici kontakt fizikası” adlı yeni elmi istiqamət açılmışdır. 2004-cü ildə “Real metal - yarımkeçirici kontaktların elektrofiziki xassələri” mövzusunda fizika-riyaziyyat elmləri üzrə doktorluq dissertasiya işi müdafiə edilmişdir. Əsaslı qaydada müəyyən olunmuşdur ki, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda baş verən problem xarakterli əksər elektron hadisələri, o cümlədən, mövcud fundamental model və nəzəriyyələrdən kəskin kənaraçıxmalar, əlavə elektrik sahəsinin təsirinin nəzərə alınması ilə aydın interpretasiya olunur. Bununla yanaşı, o da aşkar edilmişdir ki, əlavə elektrik sahəli metal - yarımkeçirici kontaktlar bir sıra perspektivli yeni xassələrə malikdir.
Azərbaycanda kəşf edilmiş yeni fiziki hadisə xarici ölkə alimlərinin də diqqətini cəlb etmişdir. Rusiya Federasiyasının Tomsk Dövlət Universitetinin Yarımkeçiricilər fizikası kafedrasında real metal-yarımkeçirici kontaktlarda yaranan əlavə elektrik sahəsi, nanotexnologiyanın müasir cihazı olan Atom Qüvvə Mikroskopu ilə bilavasitə ölçülmüş və onun kontakt səthi boyunca paylanmasının fenomenoloji modeli qurulmuşdur. Yuxarıda qeyd olunan monoqrafiya əsasında “Atom Qüvvə Mikroskopiya metodu ilə yarımkeçirici (A3B5) səthinin morfologiyasının, elektron xassələrinin və metal - A3B5 kontaktların tədqiqi” (Tomsk, 2010) adlı fizika üzrə fəlsəfə doktorluq dissertasiya işi yazılaraq, müdafiə olunmuşdur. Diqqətəlayiq haldır ki, 2009-2011-ci illərdə Tomsk Dövlət Universitetində və Rusiya Federasiyası Yarımkeçirici Cihazlar Elmi Tədqiqat İnstitutunda, müasir texnologiya və ölçü texnikaları ilə əlavə elektrik sahəsinin fundamental tədqiqi aparılmış və alınan yeni elmi nəticələr silsilə məqalələrlə Rusiya Elmlər Akademiyasının “Yarımkeçiricilərin Fizikası və Texnikası”, “Səth: Rentgen, Sinxroton və Nüvə Tədqiqatları” və s. kimi nüfuzlu elmi jurnallarında rus və ingilis dillərində dərc olunmuşdur. Çoxsaylı məruzələr isə “İYT texnikası və telekommunikasiya texnologiyaları, Sevostopol - 2009, 2010, 2011”, “Yarimkeçiricilər, Tomsk-2009”, “Radiofizikanın aktual problemləri, Tomsk-2010” və s. kimi Beynəlxalq Konfranslarda dinlənilmişdir.
Aktuallığına xüsusi diqqət yetirdiyimiz metal-yarımkeçirici kontakt hadisələri, elmi-texniki tərəqqinin tarixi inkişafının bütün mərhələlərində mühüm rol oynamış və müstəsna əhəmiyyət kəsb etmişdir. Hələ 1874-cü ildə, alman alimi Ferdinand Braun real metal-yarımkeçirici kontaktlarda diod effekti (cərəyanı düz istiqamətdə yaxşı və əks istiqamətdə pis keçirmək) kəşf etmişdir. Bu hadisənin fizikası nəzəri olaraq keçən əsrin 40-cı illərinə qədər məlum olmamışdır. Buna baxmayaraq, XX əsrin əvvəllərində diod xassəli metal-yarımkeçirici kontaktlar əsasında çoxsaylı detektorlar ixtira edilmişdir ki, bu da radioelektronikanın bütövlükdə inkişafına güclü təkan vermişdir və kəşfin müəllifi F.Braun 1909-cu ildə Nobel mükafatına layiq görülmüşdür. II Dünya müharibəsi illərində kiçik həcmli radiocihazlara ciddi ehtiyac duyulduğundan, metal-yarımkeçirici kontakt hadisələri beynəlxalq miqyasda ən aktual problem kimi intensiv tədqiq olunmuşdur. Alman alimi Volter Şottki ideal metal-yarımkeçirici kontaktların fundamental energetik modellərini və Hans Bete isə cərəyan axınının termoelektron emissiya nəzəriyyəsini işləyib hazırlamışdır.
Mükəmməl nəzəriyyəsi məlum olduqdan sonra metal-yarımkeçirici kontaktların elektron proseslərinin tədqiqində və onların praktiki tətbiqində böyük nailiyyətlər əldə edilmişdir. 1949-cu ildə Amerika alimləri V.Şottki, C.Bardin və U.Bratteyn tərəfindən metal-yarımkeçirici kontaktlarda tranzistor effekti (cərəyan və gərinliyin gücləndirilməsi) kəşf edilmiş və nəticədə elmi-texniki inqilab baş vermişdir. Dünyada irihəcimli (təxminən kibrit qutusu ölçüsündə) lampalar əsasında hazırlanan bütün elektron qurğuları mənəvi aşınmaya məruz qalaraq, kütləvi halda istismardan çıxarılmışdır və onlar böyük üstünlüklərə malik, kiçikhəcimli (təxminən düymə ölçüdə) tranzistorlu daha müasir qurğularla əvəz edilmişdir. Bu kəşfin müəllifləri 1956-cı ildə Nobel mükafatına layiq görülmüşdülər. Elmi ədəbiyyatda tranzistor effektinin kəşfi dünyada mövcud olan bütün digər kəşflərlə müqayisədə insanlığa ən çox fayda verən kəşf hesab edilir. Bununla belə, böyük uğurlarla yanaşı, o da tam yəqin edilmişdir ki, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda mövcud fundamental model və nəzəriyyələrdən ciddi kənaraçıxmalar müşahidə olunur. Buna əsas səbəb kimi, o dövrdə metal-yarımkeçirici kontaktların hazırlanma texnologiyasının mükəmməl olmaması güman edilmişdir.
Elektron cihazları texnologiyasının təkmilləşməsi sayəsində 1959-cu ildə Amerika mütəxəssisləri C.Kilbi və R.Noys tərəfindən, təxminən bir düymə ölçüdə yarımkeçirici kristal üzərində yerləşən, çox sayda diod və tranzistordan ibarət elektrik sxemi, yəni, mikrosxem və ya inteqral sxemi, ixtira edilmiş və mikroelektronikanın yaranmasında ilk mühüm addım atılmışdır. Fizika, kimya, texnika, texnologiya kimi bir sıra elmlərin qovşağında formalaşan mikroelektronikanın sonrakı inkişafı ilə əlaqədar olaraq, daha mükəmməl litoqrafiya texnologiyası yaradılmışdır. Minlərlə metal-yarımkeçirici kontakt komponentlərindən təşkil olunan mikrosxemlərin istismarı geniş vüsət almış və növbəti elmi-texniki inqilab baş vermişdir. Dünyada diskret yarımkeçirici cihazlar əsasında hazırlanmış bütün elektron qurğuları mənəva aşınmaya məruz qalaraq, kütləvi halda istismardan çıxarılmış və onlar böyük üstünlüklərə malik inteqral sxemlərlə əvəz edilmişdir. Elmi-texniki inqilablar nəticəsində əldə olunan mühüm nailiyyətlərdən biri də odur ki, elektron elementlərinin maya dəyəri fantastik dərəcədə azalmışdır. Alman ədəbiyyatının 1990-cı il məlumatına görə bir ədəd lampanın və tranzistorun maya dəyərləri, uyğun olaraq, 10 (on) marka və 1 (bir) marka olduğu halda, minlərlə tranzistor kimi komponentlərdən ibarət olan bir ədəd inteqral sxemin maya dəyəri cəmi 0,0001 (on mində bir) marka olmuşdur.
Müasir litoqrafiya texnologiyası ilə hazırlanan mükəmməl metal-yarımkeçirici kontakt hadisələri, nəzəri olaraq güman edilən bir sıra real faktorların təsiri nəzərə alınmaqla, beynəlxalq miqyasda geniş və intensiv tədqiq edilmişdir. Statistik məlumatlara görə, 1970-1980-ci illərdə, dünyada yarımkeçiricilər sahəsində ən çox məqalə metal-yarımkeçirici kontakt hadisələrin tədqiqinə həsr edilmiş, çoxsaylı orijinal və abzor məqalələr, monoqrafiyalar, dərsliklər dərc edilmiş və Beynəlxalq Elmi-Texniki Konfranslarda elmi məruzələr dinlənilmişdir. Real metal-yarımkeçirici kontaktların praktiki tətbiqində ciddi uğurlar əldə edilmiş, o cümlədən, böyük (on minlərlə kontakt komponentlərindən ibarət) və ifrat böyük (yüz minlərlə kontakt komponentlərindən ibarət) inteqral sxemlərin istehsalı genişlənmişdir. Eyni zamanda, XX əsrin sonuna qədər praktiki mövcud olan bütün yarımkeçiricilərlə müxtəlif metalların mümkün olan kontaktlarında baş verən elektron prosesləri geniş tədqiq edilmiş və tam məlum olmuşdur ki, real metal-yarımkeçirici kontakt fizikasında bir sıra problemlər öz həllini hələ də tapmamışdır. Bununla yanaşı, real metal - yarımkeçirici kontaktların hərtərəfli tədqiqi nəticəsində formalaşmış aydın fiziki mənzərə fonunda, ölkəmizdə aparılan əhatəli nəzəri araşdırmalar və məqsədyönlü eksperimental tədqiqatlar nəticəsində, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elektrik sahəsinin yaranması kimi yeni fiziki hadisə kəşf edilmişdir.
Real metal-yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elektrik sahəsinin yaranma hadisəsinin mühüm cəhətlərindən biri odur ki, bu hadisə onun aidiyyəti olduğu yarımkeçiricilər, yarımkeçirici cihazları, bərk cisimlər, nazik təbəqələr, səth fizikası, nanofizika kimi elm sahələrində, mikroelektronika, fiziki elektronika, optoelektronika, fotoelektronika, bioelektronika, nanoelektronika və digər elektron texnikası sahələrində yeni elmi istiqamətlərin açılmasının elmi əsasını təşkil edir.
Eyni zamanda, bu kəşf, müasir elektron texnikasının istisnasız olaraq bütün elektron qurğu və cihazlarının element bazalarını təşkil edən müxtəlif növ diskret yarımkeçirici cihazların, mikrosxemlərin, nanosxemlərin keyfiyyətinin yüksəldilməsinə və funksional imkanlarının genişləndirilməsinə, yeni sinif baza elementlərinin və inteqral sxemlərin hazırlanmasına imkanlar açır. Nüfuzlu xarici jurnallarda 2011-2012-ci illərdə dərc olunan elmi məlumatlara görə, artıq işıq enerjisini elektrik enerjisinə çevirən, əlavə elektrik sahəli yeni fotoelektrik çeviricilər (Alternativ enerji mənbəyi) yaradılmışdır ki, onlar işıq cərəyanını qaranlıq cərəyanına nisbətən 1000 (min) dəfə artırır (FTP,2011,v.45, №7, s.965). Halbuki, ənənəvi oxşar fotoelektrik çeviricilər (Alternativ enerji mənbəyi), işıq cərəyanını qaranlıq cərəyanına nisbətən cəmi təqribən 10 (on) dəfə artırır. Digər məlumatda isə bildirilir ki, əlavə elektrik sahəsinin təsiri nəticəsində metal-yarımkeçirici kontakt əsasında hazırlanmış fotoelektrik çeviricilərin həssaslığı gərginliyə görə 50 faiz və cərəyana görə isə 50 dəfə artır (“Microwave and Telecommunication Technology” 21th International Crimean Conference Publications, 2011, p.699). Böyük maraq kəsb edən məlumatlardan biri də odur ki, əlavə elektrik sahəli yeni Şottki diodları (İnformasiya və kommunikasiya texnologiyaları məhsullarının fəal komponentləri) hazırlanmışdır ki, onlar neqativ xarakterli əks cərəyana malik olmurlar (J.Microelectronics Reliability, 2012, v.52, № 2, p.418).
Xarici ölkə mütəxəssisləri tərəfindən xüsusi diqqət yetirilən, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda aşkar etdiyimiz əlavə elektrik sahəsinin yaranma hadisəsi haqqında geniş elmi məlumat, 2012-ci ilin ilk günlərindən başlayaraq 30-dan artıq xarici internet saytlarında (məsələn, www.nanometer.ru/news_list.html, www.people.su/70512, www.nanonewsnet.ru, www.novostinauki.ru/news/42839/ və s.) əvvəllər elmə məlum olmayan, ümumbəşəri əhəmiyyətə malik mühüm elmi yenilik kimi yayılmışdır və yayılmaqda davam edir.
Ölkəmizin mülkiyyətçisi olduğu bu elmi kəşf, müasir elektron texnikasının əhatə etdiyi elm və təhsil sahələri üzrə yeni dərsliklər, dərs vəsaitləri, monoqrafiyalar yazılması və respublikamızda innovasiyayönümlü və investisiya tutumlu elektron texnikası məhsulları istehsalı üçün xüsusilə yararlıdır. Mübaliğəsiz demək olar ki, ümumbəşəri əhəmiyyətli yeni Azərbaycan elminin, intellektual mülkiyyətinin, insanlara verə biləcəyi fayda, yuxarıda qeyd edilən məlum tranzistor effekti kəşfinin verdiyi ümumbəşəri fayda ilə müqayisə olunandır.
Rasim MƏMMƏDOV
Fizika-riyaziyyat elmləri doktoru, professor
 
  • Oxunub:  43200  |  
  • Tarix:  20-09-2012  |  
  •    Çap et   |  
Get Adobe Flash player
Prezident İlham Əliyev: Azərbaycan öz daxili imkanlarına arxalanaraq irəliyə gedir

21:23
23 Yanvar
AŞPA-nın qış sessiyasında süni intellektin yaratdığı risk və təhdidlərdən danışılıb
21:22
23 Yanvar
Azərbaycanlı deputat AŞPA-nın sessiyasında internet idarəçiliyinin əhəmiyyətindən danışıb
20:51
23 Yanvar
“İlham Əliyev. İnkişaf - məqsədimizdir” çoxcildliyinin 76-cı kitabı çapdan çıxıb
20:43
23 Yanvar
Sevinc Fətəliyeva: Hər bir KİV yaydığı xəbərə görə məsuliyyət daşıdığını unutmamalıdır
20:40
23 Yanvar
Dini radikalizmlə mübarizədə maarifləndirmə böyük rol oynayır
19:16
23 Yanvar
Bakı Nəqliyyat Agentliyinin əməkdaşları treninqlərə cəlb edilib
19:08
23 Yanvar
Azərbaycan Dillər Universiteti və İstanbul Okan Universiteti arasında əməkdaşlığa dair müzakirələr aparılıb
18:58
23 Yanvar
Hikmət Hacıyev: Azərbaycan Prezidenti ilə Ermənistan baş nazirinin Davosdakı görüşü Düşənbə və Sankt-Peterburqdakı görüşlərin davamı kimi qiymətləndirilə bilər
17:59
23 Yanvar
“Məxməri inqilab”ın birinci mərhələsi: Ermənistan dalanda!
17:49
23 Yanvar
Təl-Əviv Qran-Prisində 18 cüdoçumuz mübarizə aparacaq
17:44
23 Yanvar
UNEC 24/7 kitabxanasını gündəlik 500-ə qədər tələbə ziyarət edir
17:36
23 Yanvar
Azərbaycan sülhməramlıları Cənubi Sudana yola düşüb
17:26
23 Yanvar
Azərbaycan Prezidenti İlham Əliyevin və İsveçrə Prezidenti Ueli Maurerin görüşü olub
17:22
23 Yanvar
Nejdet Erkan: Bütün köhnə reaktorlar kimi, “Metsamor” AES-dəki reaktorun da fəaliyyəti dayandırılmalıdır
17:20
23 Yanvar
Sahibə Qafarova: Azərbaycan öz parlaq mədəniyyəti, mənəvi dəyərləri ilə bəşəriyyətin mədəni irsinə böyük töfhələr verib
17:16
23 Yanvar
Sədaqət Vəliyeva: Böyük enerji şirkətlərinin Azərbaycana sərmayə yatırması ölkəmizdəki siyasi sabitlik və təhlükəsizlik amili ilə bağlıdır
17:14
23 Yanvar
Eldəniz Səlimov: Ölkəmizdə sənayeləşmə siyasəti uğurla həyata keçirilir
17:12
23 Yanvar
Qoşqar Təhməzli: Ölkəmizdə həyata keçirilən islahatlar ərzaq və qida təhlükəsizliyi sektorundan da yan keçməyib
17:09
23 Yanvar
Sona Əliyeva: 2019-cu ilin ölkəmizdə “Nəsimi ili” elan edilməsi milli-mənəvi sərvətimizə verilən dəyərin, hörmət və ehtiramın yüksək göstəricisidir
17:07
23 Yanvar
Məmməd Musayev: ASK ölkəyə xarici investorların cəlbi üçün danışıqlar aparır
16:57
23 Yanvar
Ölkəmizin mədəniyyəti və turizm imkanları Küveytdə təqdim olunub
16:50
23 Yanvar
Ukrayna və Belarus mətbuatı Prezident İlham Əliyevin Dünya İqtisadi Forumunda iştirakına geniş yer ayırıb
16:43
23 Yanvar
Milli Məclisin deputatı Avropada Azərbaycan əleyhinə dezinformasiya yayan siyasətçiləri və KİV-ləri tənqid edib
16:38
23 Yanvar
Politoloq: Ermənistan imitasiyadan əl çəkməli, danışıqları sürətləndirməli və bunlar nəticəyə yönəlik olmalıdır
16:32
23 Yanvar
Vüqar Rəhimzadə: Azərbaycana beynəlxalq səviyyədə verilən dəyər uğurlu daxili və xarici siyasətin nəticəsidir
16:02
23 Yanvar
Milli Məclisin hüquq siyasəti və dövlət quruculuğu komitəsinin yaz sessiyasında ilk iclası keçirilib
16:01
23 Yanvar
Rafael Hüseynov: Azərbaycana qarşı sosial şəbəkələr vasitəsilə informasiya təcavüzü aparılır
15:54
23 Yanvar
Bakı Ali Neft Məktəbi “Huawei” şirkətilə əməkdaşlığa başladı
15:52
23 Yanvar
Məlahət İbrahimqızı: Azərbaycan müasir beynəlxalq münasibətlər sistemində etibarlı tərəfdaş kimi tanınır
15:13
23 Yanvar
Səməd Seyidov: Ölkələrlə qarşıdurma deyil, dialoq yaratmaq lazımdır
15:11
23 Yanvar
Bakıda “Mediada gender bərabərliyi” mövzusunda təlimlər başlayıb
15:09
23 Yanvar
Qabil Mehdiyev: Azərbaycan KİV-ləri II Avropa Oyunlarına hazırlığı diqqətlə izləyirlər
14:44
23 Yanvar
Səhiyyə naziri İmişlidə vətəndaşları qəbul edib
14:38
23 Yanvar
Georgi Logvinski: AŞPA-nın bir çox üzvləri Azərbaycanın sürətli inkişafını düzgün qiymətləndirə bilmirlər
14:36
23 Yanvar
Vergilər Nazirliyi ilə Qida Təhlükəsizliyi Agentliyi anlaşma memorandumu imzalayıb
14:28
23 Yanvar
Prezident İlham Əliyev “Equinor” şirkətinin baş icraçı direktoru ilə görüşüb
14:15
23 Yanvar
Azərbaycan sülhməramlılarının bir qrupu Əfqanıstana yola salınıb
14:13
23 Yanvar
İdris İsayev: Ötən il peşə sahəsində 20 yeni ixtisas peşə təsnifatına daxil edilib
13:00
23 Yanvar
Prezident İlham Əliyevin “Suez Group”un beynəlxalq inkişaf üzrə icraçı vitse-prezidenti ilə görüşü
12:57
23 Yanvar
Prezident İlham Əliyevin “VTB-Bank”ın prezidenti ilə görüşü olub
12:56
23 Yanvar
Naxçıvanda ailə təsərrüfatlarının inkişafı ilə bağlı Tədbirlər Planı təsdiqlənib
12:54
23 Yanvar
Prezident İlham Əliyev “Lazard Freres” şirkətinin baş icraçı direktoru ilə görüşüb
12:51
23 Yanvar
Uşaq ədəbiyyatının müxtəlif problemləri və onların həlli yolları müzakirə edilib
12:48
23 Yanvar
Akademik: Tədqiqatçıların elmi mühitdə sosiallaşması vacib məsələdir
12:35
23 Yanvar
Deputat: Prezident İlham Əliyevin Dünya İqtisadi Forumunda iştirakı xarici investorların Azərbaycana marağını daha da artırır
12:31
23 Yanvar
Azərbaycanın sərbəst konvertasiya olunan valyuta ehtiyatları xarici borcdan 4-5 dəfə çoxdur
12:10
23 Yanvar
Azərbaycan Prezidenti İlham Əliyevin “The Boston Consulting Group” şirkətinin prezidenti ilə görüşü olub
11:58
23 Yanvar
Azərbaycandakı mövcud infrastruktur investorlar, biznes dairələri üçün böyük potensial və vətəndaşlar üçün rahatlıq yaradacaq
11:56
23 Yanvar
AMEA-nın Yer Elmləri Bölməsi hesabat verib
11:27
23 Yanvar
Ankarada TÜRKPA-nın ətraf mühit və təbii ehtiyatlar komissiyasının toplantısı keçirilir
11:20
23 Yanvar
Bakıda “Gənclərin məşğulluğu: işəgötürənlərin baxışı, çağırışlar və prespektivlər” mövzusunda konfrans işə başlayıb
11:03
23 Yanvar
Son 15 ildə Azərbaycan 250 milyard dollar sərmayə cəlb edib
11:02
23 Yanvar
İlham Əliyev: Prezident kimi mənim üçün ən vacibi xalqın gündəlik həyatı, iqtisadiyyatımız, sənayemiz, sosial problemlərimizin həllidir
10:55
23 Yanvar
Prezident İlham Əliyev Davosda “Procter and Gamble Europe” şirkətinin prezidenti ilə görüşüb
10:29
23 Yanvar
Prezident İlham Əliyev: Biz böyük enerji şirkətlərini Azərbaycana sərmayə yatırmaq üçün cəlb etdiyimizə görə çox böyük tərəqqiyə nail olmuşuq
10:21
23 Yanvar
Prezident İlham Əliyev: Azərbaycan təcrübəsi, əldə etdiyimiz nəticələr siyasətimizin doğru olduğunu nümayiş etdirir
10:14
23 Yanvar
Şahin Mustafayev: Ötən il “Şimal-Cənub” nəqliyyat dəhlizi ilə 158 min ton yük daşınıb
10:04
23 Yanvar
Azərbaycanlı deputat: Azərbaycanda 100 il əvvəl qadınlara səsvermə hüququ verilib
10:02
23 Yanvar
Ermənistan silahlı qüvvələrinin bölmələri atəşkəsi pozmaqda davam edir
09:43
23 Yanvar
Sadə ermənilər Paşinyandan üz döndərir
09:42
23 Yanvar
Əli Kərimli və qondarma “Milli şura” üzvləri Ümumxalq hüzn günündə də təxribat törədiblər
21:37
22 Yanvar
Azərbaycan Prezidenti İlham Əliyevin Çinin CGTN televiziyasına müsahibəsi
21:17
22 Yanvar
Avropa Şurasının baş katibi təxribatçı deputatları Azərbaycanla bağlı məsələləri qəsdən siyasiləşdirməməyə çağırıb
20:40
22 Yanvar
Prezident İlham Əliyevin “Signify” şirkətinin baş icraçı direktoru ilə görüşü olub
20:37
22 Yanvar
Prezident İlham Əliyev “Microsoft” şirkətinin vitse-prezidenti ilə görüşüb
19:45
22 Yanvar
Azərbaycan Prezidenti İlham Əliyevin və “Total” şirkətinin baş icraçı direktorunun görüşü olub
19:23
22 Yanvar
Bakı Şəhər Baş Polis İdarəsində 2018-ci ilin yekunlarına həsr olunmuş geniş əməliyyat müşavirəsi keçirilib
19:15
22 Yanvar
Prezident İlham Əliyev Davosda Rusiyanın “LUKoil” şirkətinin prezidenti ilə görüşüb
19:11
22 Yanvar
Prezident İlham Əliyev Davosda “Bir kəmər, bir yol” təşəbbüsünün inkişaf etdirilməsi: Çinin trilyon dollarlıq baxışı” adlı sessiyada iştirak edib
19:00
22 Yanvar
Təhsil naziri Ceyhun Bayramov Dünya Təhsil Forumunda çıxış edib

Video

 

Müsahibə

 

Müəlliflər


»»»
ARXİV
B Be Ça Ç Ca C Ş
1 2 3 4 5
6 7 8 9 10 11 12
13 14 15 16 17 18 19
20 21 22 23 24 25 26
27 28 29 30 31
HAVA HAQQINDA