Ana səhifə »  Elm »  ÜMUMBƏŞƏRİ ƏHƏMİYYƏTLİ YENİ AZƏRBAYCAN ELMİ
A+   Yenilə  A-
ÜMUMBƏŞƏRİ ƏHƏMİYYƏTLİ YENİ AZƏRBAYCAN ELMİ
Ümummilli liderimiz Heydər Əliyevin memarı olduğu müstəqil respublikamızda möhtərəm Prezidentimiz İlham Əliyevin mütərəqqi daxili və xarici siyasəti və məqsədyönlü fəaliyyəti sayəsində böyük nailiyyətlər əldə edilir. Ölkəmizin sosial-iqtisadi, ictimai-siyasi, humanitar, hərbi və digər sahələrlə yanaşı, elm və təhsil sahələrində də əldə edilən böyük uğurlar cəmiyyətdə iftixarla qarşılanır, elmi-pedaqoji ictimaiyyətdə fədakarlıq hissi oyadır.
Dövlətimizin həyata keçirdiyi islahatlar, çoxsaylı proqramlar və layihələr nəticəsində təhsil sistemimizdə müasir tələblərə uyğun maddi-texniki baza yaradılmış, orta və ali məktəblər üçün elm və texnikanın son nailiyyətləri və milli-mənəvi dəyərlərimiz əks olunan dərsliklər və dərs vəsaitləri yazılmış, müasir informasiya - kommunikasiya texnologiyaları tədris proseslərinə daxil edilmiş və çoxfunksiyalı elektron qurğularla, mütərəqqi proqramlar və metodikalarla, yüksək ixtisaslı kadrlarla təchiz olunmuş Dövlət Tələbə Qəbulu Komissiyası kimi müasir Dövlət Elektron Mərkəzi yaradılmış, ali təhsil sistemimiz bakalavriant-magistratura ikisəviyyəli dünyəvi təhsil sisteminə keçmiş, beynəlxalq Boloniya bəyannaməsinə qoşulmuş və bu kimi çoxsaylı mühüm işlər görülmüşdür. Ölkəmizdə mövcud elm və təhsil prosesini professionallıqla təhlil edərək, mübaliğəsiz demək olar ki, təhsil sistemimizin müasir dünyəvi təhsil sistemi kimi fəaliyyət göstərməsi üçun artıq, zəruri təminat yaranmışdır.
Ölkəmizdə elmi-pedaqoji fəaliyyət üçün yaradılmış münbit şəraitdə təhsil sisteminin hərəkətverici qüvvəsi olan, elm sahəsində də samballı uğurlar qazanılmışdır. O cümlədən, müasir elektron texnikasının istinasız olaraq bütün cihaz və qurğularında, qismən mikroelektronikada və nanotexnologiyada, diskret yarımkeçirici cihazlar və inteqral sxem komponentləri kimi geniş istifadə olunan və fiziki xassələri beynəlxalq miqyasda yarım əsrdən çoxdur ki, geniş tədqiq edilən metal-yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elektrik sahəsinin yaranma hadisəsi kəşf edilmişdir. Azərbaycanın inkişaf tarixində ilk olan və indiyə qədər elmə məlum olmayan bu yeni fiziki hadisə beynəlxalq aləmdə elmi-texniki tərəqqinin yeni mərhələyə keçməsinə elmi əsas yaratmış və ölkəmizi, elmi kəşflərilə yüksək reytinq qazanmış qüdrətli dövlətlər sırasına çıxarmışdır.
Haqqında bəhs etdiyimiz yeni fiziki hadisə Bakı Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsində, məqalə müəllifinin elmi rəhbərliyilə uzun illərdən bəri yerinə yetirilən real (kontakt səthi məhdud olan) metal-yarımkeçirici kontakt hadisələrinin elmi-tədqiqat işi nəticəsində aşkar edilmişdir. Belə ki, həyata keçirilən əhatəli və dərin nəzəri araşdırmalar və fundamental eksperimental ölçmələrlə müəyyən edilmişdir ki, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda, onların hazırlanma texnologiyasından və kontakt materiallarının təbiətindən asılı olmayaraq, kontakt səthinin məhdudluğu hesabına əlavə elektrik sahəsi yaranır. Bu elektrik sahəsi, məşhur alman alimi Şottki tərəfindən ideal (kontakt səthi qeyri-məhdud olan) metal-yarımkeçirici kontaktlar üçün müəyyən edilmiş əsas elektrik sahəsi tərtibində olur və kontaktın funksional imkanlarının reallaşmasında fəal rol oynayır. Bu yeni fiziki hadisə haqqında “Metal - yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elekrik sahəsinin yaranması” adlı məqalə 1999-cu ildə Azərbaycan Respublikası Müəlliflik Hüququ Agentliyində qeydə alınmışdır (Müəlliflik Şəhadətnaməsi, Bakı, 1999, №05, 10 s.). Bununla belə, 2001-ci ildə əlavə elektrik sahəli metal-yarımkeçirici kontakt əsasında əks cərəyanı olmayan yarımkeçirici diod ixtira edilmiş və ona mərhum akademik Azad Mirzəcanzadənin şəxsi təqdimatı ilə Patent verilmişdır (“Yarımkeçirici diod”, Azərbaycan Milli Patent Ekspertiza Mərkəzi, 1999, Patent nömrəsi 2001- 0133), sonra isə davamı olaraq daha beş ixtira edilmişdir.
O zaman, əlavə elekrik sahəsini bilavasitə ölçmək üçün cihaz mövcud olmadığından, bu fiziki hadisənin doğruluğu elektrofiziki və termoelektrik eksperimental metodlarla təsdiq edilmişdir. Əlavə elekrik sahəli metal-yarımkeçirici kontaktların işlək energetik modelləri və cərəyan axma mexanizmləri işlənib hazırlanmışdır. Real metal-yarımkeçirici kontaktların elektrofiziki və konstruktiv parametrlərinin effektiv qiymətlərinin təyini üsulları ixtira edilmişdir. (“Şottki diodlarının perferiya cərəyanlarının və effektiv kontakt sahələrinin ölçülməsi üsulları”, Azərbaycan Milli Patent Ekspertiza Mərkəzi, 2000, Patent nömrəsi 2000 - 0052 və Patent nömrəsi 2000 - 0112). Əlavə elekrik sahəli metal-yarımkeçirici kontaktlar əsasında mövcud yarımkeçirici cihazların təkmilləşdirilməsinin və yeni sinif yarımkeçirici cihazların yaradılmasının fiziki əsasları müəyyən edilmişdir. Bu və digər mühüm orijinal elmi məlumatlar əsasında, dünya ədəbiyyatında ilk və yeganə olan “R.Q.Məmmədov, Əlavə elektrik sahəli metal-yarımkeçirici kontaktlar, Bakı, BDU, 2003, 231 s.” adlı rus dilində monoqrafiya yazılmış və o, sərbəst istifadə üçün internetdə yerləşdirilmişdir. Yarımkeçiricilər fizikası və elektronikası sahəsində “Əlavə elektrik sahəli metal-yarımkeçirici kontakt fizikası” adlı yeni elmi istiqamət açılmışdır. 2004-cü ildə “Real metal - yarımkeçirici kontaktların elektrofiziki xassələri” mövzusunda fizika-riyaziyyat elmləri üzrə doktorluq dissertasiya işi müdafiə edilmişdir. Əsaslı qaydada müəyyən olunmuşdur ki, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda baş verən problem xarakterli əksər elektron hadisələri, o cümlədən, mövcud fundamental model və nəzəriyyələrdən kəskin kənaraçıxmalar, əlavə elektrik sahəsinin təsirinin nəzərə alınması ilə aydın interpretasiya olunur. Bununla yanaşı, o da aşkar edilmişdir ki, əlavə elektrik sahəli metal - yarımkeçirici kontaktlar bir sıra perspektivli yeni xassələrə malikdir.
Azərbaycanda kəşf edilmiş yeni fiziki hadisə xarici ölkə alimlərinin də diqqətini cəlb etmişdir. Rusiya Federasiyasının Tomsk Dövlət Universitetinin Yarımkeçiricilər fizikası kafedrasında real metal-yarımkeçirici kontaktlarda yaranan əlavə elektrik sahəsi, nanotexnologiyanın müasir cihazı olan Atom Qüvvə Mikroskopu ilə bilavasitə ölçülmüş və onun kontakt səthi boyunca paylanmasının fenomenoloji modeli qurulmuşdur. Yuxarıda qeyd olunan monoqrafiya əsasında “Atom Qüvvə Mikroskopiya metodu ilə yarımkeçirici (A3B5) səthinin morfologiyasının, elektron xassələrinin və metal - A3B5 kontaktların tədqiqi” (Tomsk, 2010) adlı fizika üzrə fəlsəfə doktorluq dissertasiya işi yazılaraq, müdafiə olunmuşdur. Diqqətəlayiq haldır ki, 2009-2011-ci illərdə Tomsk Dövlət Universitetində və Rusiya Federasiyası Yarımkeçirici Cihazlar Elmi Tədqiqat İnstitutunda, müasir texnologiya və ölçü texnikaları ilə əlavə elektrik sahəsinin fundamental tədqiqi aparılmış və alınan yeni elmi nəticələr silsilə məqalələrlə Rusiya Elmlər Akademiyasının “Yarımkeçiricilərin Fizikası və Texnikası”, “Səth: Rentgen, Sinxroton və Nüvə Tədqiqatları” və s. kimi nüfuzlu elmi jurnallarında rus və ingilis dillərində dərc olunmuşdur. Çoxsaylı məruzələr isə “İYT texnikası və telekommunikasiya texnologiyaları, Sevostopol - 2009, 2010, 2011”, “Yarimkeçiricilər, Tomsk-2009”, “Radiofizikanın aktual problemləri, Tomsk-2010” və s. kimi Beynəlxalq Konfranslarda dinlənilmişdir.
Aktuallığına xüsusi diqqət yetirdiyimiz metal-yarımkeçirici kontakt hadisələri, elmi-texniki tərəqqinin tarixi inkişafının bütün mərhələlərində mühüm rol oynamış və müstəsna əhəmiyyət kəsb etmişdir. Hələ 1874-cü ildə, alman alimi Ferdinand Braun real metal-yarımkeçirici kontaktlarda diod effekti (cərəyanı düz istiqamətdə yaxşı və əks istiqamətdə pis keçirmək) kəşf etmişdir. Bu hadisənin fizikası nəzəri olaraq keçən əsrin 40-cı illərinə qədər məlum olmamışdır. Buna baxmayaraq, XX əsrin əvvəllərində diod xassəli metal-yarımkeçirici kontaktlar əsasında çoxsaylı detektorlar ixtira edilmişdir ki, bu da radioelektronikanın bütövlükdə inkişafına güclü təkan vermişdir və kəşfin müəllifi F.Braun 1909-cu ildə Nobel mükafatına layiq görülmüşdür. II Dünya müharibəsi illərində kiçik həcmli radiocihazlara ciddi ehtiyac duyulduğundan, metal-yarımkeçirici kontakt hadisələri beynəlxalq miqyasda ən aktual problem kimi intensiv tədqiq olunmuşdur. Alman alimi Volter Şottki ideal metal-yarımkeçirici kontaktların fundamental energetik modellərini və Hans Bete isə cərəyan axınının termoelektron emissiya nəzəriyyəsini işləyib hazırlamışdır.
Mükəmməl nəzəriyyəsi məlum olduqdan sonra metal-yarımkeçirici kontaktların elektron proseslərinin tədqiqində və onların praktiki tətbiqində böyük nailiyyətlər əldə edilmişdir. 1949-cu ildə Amerika alimləri V.Şottki, C.Bardin və U.Bratteyn tərəfindən metal-yarımkeçirici kontaktlarda tranzistor effekti (cərəyan və gərinliyin gücləndirilməsi) kəşf edilmiş və nəticədə elmi-texniki inqilab baş vermişdir. Dünyada irihəcimli (təxminən kibrit qutusu ölçüsündə) lampalar əsasında hazırlanan bütün elektron qurğuları mənəvi aşınmaya məruz qalaraq, kütləvi halda istismardan çıxarılmışdır və onlar böyük üstünlüklərə malik, kiçikhəcimli (təxminən düymə ölçüdə) tranzistorlu daha müasir qurğularla əvəz edilmişdir. Bu kəşfin müəllifləri 1956-cı ildə Nobel mükafatına layiq görülmüşdülər. Elmi ədəbiyyatda tranzistor effektinin kəşfi dünyada mövcud olan bütün digər kəşflərlə müqayisədə insanlığa ən çox fayda verən kəşf hesab edilir. Bununla belə, böyük uğurlarla yanaşı, o da tam yəqin edilmişdir ki, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda mövcud fundamental model və nəzəriyyələrdən ciddi kənaraçıxmalar müşahidə olunur. Buna əsas səbəb kimi, o dövrdə metal-yarımkeçirici kontaktların hazırlanma texnologiyasının mükəmməl olmaması güman edilmişdir.
Elektron cihazları texnologiyasının təkmilləşməsi sayəsində 1959-cu ildə Amerika mütəxəssisləri C.Kilbi və R.Noys tərəfindən, təxminən bir düymə ölçüdə yarımkeçirici kristal üzərində yerləşən, çox sayda diod və tranzistordan ibarət elektrik sxemi, yəni, mikrosxem və ya inteqral sxemi, ixtira edilmiş və mikroelektronikanın yaranmasında ilk mühüm addım atılmışdır. Fizika, kimya, texnika, texnologiya kimi bir sıra elmlərin qovşağında formalaşan mikroelektronikanın sonrakı inkişafı ilə əlaqədar olaraq, daha mükəmməl litoqrafiya texnologiyası yaradılmışdır. Minlərlə metal-yarımkeçirici kontakt komponentlərindən təşkil olunan mikrosxemlərin istismarı geniş vüsət almış və növbəti elmi-texniki inqilab baş vermişdir. Dünyada diskret yarımkeçirici cihazlar əsasında hazırlanmış bütün elektron qurğuları mənəva aşınmaya məruz qalaraq, kütləvi halda istismardan çıxarılmış və onlar böyük üstünlüklərə malik inteqral sxemlərlə əvəz edilmişdir. Elmi-texniki inqilablar nəticəsində əldə olunan mühüm nailiyyətlərdən biri də odur ki, elektron elementlərinin maya dəyəri fantastik dərəcədə azalmışdır. Alman ədəbiyyatının 1990-cı il məlumatına görə bir ədəd lampanın və tranzistorun maya dəyərləri, uyğun olaraq, 10 (on) marka və 1 (bir) marka olduğu halda, minlərlə tranzistor kimi komponentlərdən ibarət olan bir ədəd inteqral sxemin maya dəyəri cəmi 0,0001 (on mində bir) marka olmuşdur.
Müasir litoqrafiya texnologiyası ilə hazırlanan mükəmməl metal-yarımkeçirici kontakt hadisələri, nəzəri olaraq güman edilən bir sıra real faktorların təsiri nəzərə alınmaqla, beynəlxalq miqyasda geniş və intensiv tədqiq edilmişdir. Statistik məlumatlara görə, 1970-1980-ci illərdə, dünyada yarımkeçiricilər sahəsində ən çox məqalə metal-yarımkeçirici kontakt hadisələrin tədqiqinə həsr edilmiş, çoxsaylı orijinal və abzor məqalələr, monoqrafiyalar, dərsliklər dərc edilmiş və Beynəlxalq Elmi-Texniki Konfranslarda elmi məruzələr dinlənilmişdir. Real metal-yarımkeçirici kontaktların praktiki tətbiqində ciddi uğurlar əldə edilmiş, o cümlədən, böyük (on minlərlə kontakt komponentlərindən ibarət) və ifrat böyük (yüz minlərlə kontakt komponentlərindən ibarət) inteqral sxemlərin istehsalı genişlənmişdir. Eyni zamanda, XX əsrin sonuna qədər praktiki mövcud olan bütün yarımkeçiricilərlə müxtəlif metalların mümkün olan kontaktlarında baş verən elektron prosesləri geniş tədqiq edilmiş və tam məlum olmuşdur ki, real metal-yarımkeçirici kontakt fizikasında bir sıra problemlər öz həllini hələ də tapmamışdır. Bununla yanaşı, real metal - yarımkeçirici kontaktların hərtərəfli tədqiqi nəticəsində formalaşmış aydın fiziki mənzərə fonunda, ölkəmizdə aparılan əhatəli nəzəri araşdırmalar və məqsədyönlü eksperimental tədqiqatlar nəticəsində, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elektrik sahəsinin yaranması kimi yeni fiziki hadisə kəşf edilmişdir.
Real metal-yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elektrik sahəsinin yaranma hadisəsinin mühüm cəhətlərindən biri odur ki, bu hadisə onun aidiyyəti olduğu yarımkeçiricilər, yarımkeçirici cihazları, bərk cisimlər, nazik təbəqələr, səth fizikası, nanofizika kimi elm sahələrində, mikroelektronika, fiziki elektronika, optoelektronika, fotoelektronika, bioelektronika, nanoelektronika və digər elektron texnikası sahələrində yeni elmi istiqamətlərin açılmasının elmi əsasını təşkil edir.
Eyni zamanda, bu kəşf, müasir elektron texnikasının istisnasız olaraq bütün elektron qurğu və cihazlarının element bazalarını təşkil edən müxtəlif növ diskret yarımkeçirici cihazların, mikrosxemlərin, nanosxemlərin keyfiyyətinin yüksəldilməsinə və funksional imkanlarının genişləndirilməsinə, yeni sinif baza elementlərinin və inteqral sxemlərin hazırlanmasına imkanlar açır. Nüfuzlu xarici jurnallarda 2011-2012-ci illərdə dərc olunan elmi məlumatlara görə, artıq işıq enerjisini elektrik enerjisinə çevirən, əlavə elektrik sahəli yeni fotoelektrik çeviricilər (Alternativ enerji mənbəyi) yaradılmışdır ki, onlar işıq cərəyanını qaranlıq cərəyanına nisbətən 1000 (min) dəfə artırır (FTP,2011,v.45, №7, s.965). Halbuki, ənənəvi oxşar fotoelektrik çeviricilər (Alternativ enerji mənbəyi), işıq cərəyanını qaranlıq cərəyanına nisbətən cəmi təqribən 10 (on) dəfə artırır. Digər məlumatda isə bildirilir ki, əlavə elektrik sahəsinin təsiri nəticəsində metal-yarımkeçirici kontakt əsasında hazırlanmış fotoelektrik çeviricilərin həssaslığı gərginliyə görə 50 faiz və cərəyana görə isə 50 dəfə artır (“Microwave and Telecommunication Technology” 21th International Crimean Conference Publications, 2011, p.699). Böyük maraq kəsb edən məlumatlardan biri də odur ki, əlavə elektrik sahəli yeni Şottki diodları (İnformasiya və kommunikasiya texnologiyaları məhsullarının fəal komponentləri) hazırlanmışdır ki, onlar neqativ xarakterli əks cərəyana malik olmurlar (J.Microelectronics Reliability, 2012, v.52, № 2, p.418).
Xarici ölkə mütəxəssisləri tərəfindən xüsusi diqqət yetirilən, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda aşkar etdiyimiz əlavə elektrik sahəsinin yaranma hadisəsi haqqında geniş elmi məlumat, 2012-ci ilin ilk günlərindən başlayaraq 30-dan artıq xarici internet saytlarında (məsələn, www.nanometer.ru/news_list.html, www.people.su/70512, www.nanonewsnet.ru, www.novostinauki.ru/news/42839/ və s.) əvvəllər elmə məlum olmayan, ümumbəşəri əhəmiyyətə malik mühüm elmi yenilik kimi yayılmışdır və yayılmaqda davam edir.
Ölkəmizin mülkiyyətçisi olduğu bu elmi kəşf, müasir elektron texnikasının əhatə etdiyi elm və təhsil sahələri üzrə yeni dərsliklər, dərs vəsaitləri, monoqrafiyalar yazılması və respublikamızda innovasiyayönümlü və investisiya tutumlu elektron texnikası məhsulları istehsalı üçün xüsusilə yararlıdır. Mübaliğəsiz demək olar ki, ümumbəşəri əhəmiyyətli yeni Azərbaycan elminin, intellektual mülkiyyətinin, insanlara verə biləcəyi fayda, yuxarıda qeyd edilən məlum tranzistor effekti kəşfinin verdiyi ümumbəşəri fayda ilə müqayisə olunandır.
Rasim MƏMMƏDOV
Fizika-riyaziyyat elmləri doktoru, professor
 
  • Oxunub:  40170  |  
  • Tarix:  20-09-2012  |  
  •    Çap et   |  
Get Adobe Flash player
Şərqdə ilk demokratik respublikanın parlamentinin 100 illiyi təntənə ilə qeyd olunub

15:07
22 Sentyabr
Milli Məclisdə Azərbaycan-Oman əlaqələrinin inkişafı məsələləri müzakirə edilib
14:43
22 Sentyabr
Azərbaycan Prezidenti parlamentin 100 illiyi münasibətilə keçirilən iclasda ciddi mesajlar verdi
14:37
22 Sentyabr
GUAM-a üzv dövlətlərin hökumət başçılarının iclasına hazırlıq məsələləri müzakirə olunub
14:30
22 Sentyabr
Avropalı diplomatlar Naxçıvan şəhərindəki Heydər Əliyev Muzeyini ziyarət ediblər
14:26
22 Sentyabr
Elmin İnkişafı Fondu yeni qrant müsabiqələri elan edəcək
14:23
22 Sentyabr
XİN: KTMT baş katibinin Ermənistan-Azərbaycan münaqişəsinə dair açıqlama verməsi təşkilatın mandatından kənardır
14:18
22 Sentyabr
Nyu-Yorkda keçiriləcək ABŞ-Xəzər Biznes Forumuna 100-dən çox şirkət qatılacaq
14:17
22 Sentyabr
Tahir Rzayev: Azərbaycan Parlamenti 100 il ərzində şərəfli bir yol keçib
12:50
22 Sentyabr
Favzi Daoud: Azərbaycan ilə İordaniya dost və qardaş ölkələrdir
12:41
22 Sentyabr
Aydın Hüseynov: Azərbaycan parlamenti tarixdə şərəfli iz qoyub
12:35
22 Sentyabr
Azərbaycan-Rusiya parlamentlərarası əlaqələri yüksək səviyyədədir
12:18
22 Sentyabr
İndoneziya Regional Nümayəndələr Şurasının sədri Azərbaycana səfərə gəlib
11:24
22 Sentyabr
Dövlət Komitəsinin sədri Mingəçevirdə vətəndaşları qəbul edəcək
10:30
22 Sentyabr
Kristina Marti Lanq: İsveçrə və Azərbaycan arasında çox yaxşı əlaqələr mövcuddur
10:27
22 Sentyabr
Cüdo üzrə dünya çempionatı: Azərbaycanın 3 idmançısı mübarizəyə qoşulub
10:24
22 Sentyabr
Bolqarıstanın Varna şəhərində Azərbaycan mədəniyyətinə dair fotosərgilər nümayiş etdirilib
10:22
22 Sentyabr
Ermənistan silahlı qüvvələrinin bölmələri atəşkəs rejimini 112 dəfə pozub
20:45
21 Sentyabr
BMT və qlobal çağırışlar: "intertarixi" zərurət kontekstində
20:43
21 Sentyabr
Bilgəhdə Beynəlxalq Ahıllar Günü münasibətilə tədbir keçirilib
20:40
21 Sentyabr
Slovakiya-Azərbaycan parlamentlərarası dostluq qrupunun rəhbəri Müdafiə Sənayesi Nazirliyində olub
20:39
21 Sentyabr
Soçi və İdlib: Rusiya-Türkiyə əməkdaşlığı qlobal geosiyasi proseslər kontekstində
20:23
21 Sentyabr
Prezident İlham Əliyev Beynəlxalq Cüdo Federasiyasının prezidenti ilə görüşüb
20:13
21 Sentyabr
Bakıda keçirilən cüdo üzrə dünya çempionatının ikinci gününə yekun vurulub
20:05
21 Sentyabr
Mərzuq Əli əl-Ğanim: Küveyt və Azərbaycan hər zaman bir-birinin yanındadır
19:56
21 Sentyabr
Bakıda NATO-nun Əməliyyat İmkanları Konsepsiyası çərçivəsində özünüqiymətləndirmə təlimi keçirilib
19:52
21 Sentyabr
Ədliyyə naziri Ağstafada vətəndaşları qəbul edib
19:29
21 Sentyabr
Azərbaycan ilə Britaniya Şurası arasında təhsil sahəsində əməkdaşlığın perspektivləri müzakirə edilib
19:24
21 Sentyabr
“Azİz” Beynəlxalq Assosiasiyasının nümayəndə heyəti Bakı Kitab Mərkəzinin qonağı olub
19:23
21 Sentyabr
AQTA ilə Asiya İnkişaf Bankı arasında strateji əməkdaşlıq imkanları öyrənilir
19:09
21 Sentyabr
Naxçıvanda yeni Asfalt-Beton Zavod Kompleksi istifadəyə verilib
18:37
21 Sentyabr
“ASAN xidmət” təcrübəsi Uqandada tətbiq olunacaq
18:29
21 Sentyabr
Azərbaycan parlamentinin 100 illiyi münasibətilə keçirilən təntənəli iclasın iştirakçıları ulu öndər Heydər Əliyevin məzarını və Şəhidlər xiyabanını ziyarət ediblər
18:26
21 Sentyabr
Prezident İlham Əliyev: Azərbaycanın dünyada təhlükəsizliyə töhfəsi getdikcə artır
18:13
21 Sentyabr
Prezident İlham Əliyev: Bu gün Azərbaycan dünya xəritəsində bir uğur nümunəsidir
18:08
21 Sentyabr
Konstitusiya Məhkəməsi Plenumunun növbəti iclası keçirilib
18:06
21 Sentyabr
Azərbaycan Dillər Universiteti Çinin müxtəlif universitetləri ilə əlaqələr qurub
18:01
21 Sentyabr
Prezident İlham Əliyev: Dağlıq Qarabağ heç vaxt Azərbaycanın suverenliyindən kənarda heç bir status almayacaq
17:49
21 Sentyabr
Prezident: Bu gün Ermənistandan səslənən çox ziddiyyətli və bəzən cəfəng fikirlər münaqişənin həllinə yox, onun dərinləşməsinə xidmət göstərir
17:46
21 Sentyabr
Hikmət Babaoğlu: "Prezidentin nitqi Ermənistan rəhbərliyinin savadsız çıxışlarına tutarlı cavab idi"
17:41
21 Sentyabr
Prezident: Ermənistan-Azərbaycan Dağlıq Qarabağ münaqişəsi ən böyük ədalətsizlikdir
17:38
21 Sentyabr
Prezident İlham Əliyev: Demokratik inkişafla bağlı siyasətimizin aparılmasında Azərbaycan parlamentinin çox böyük rolu var
17:37
21 Sentyabr
Azərbaycan UNESCO-nun sülh konfransında təmsil olunub
17:28
21 Sentyabr
Adil Əliyev: Azərbaycan parlamentinin bir əsrlik keçdiyi şərəfli yol müasir dövlətimizin inkişafında özünəməxsus yer tutur
17:15
21 Sentyabr
Milli Məclisdə Azərbaycan parlamentinin 100 illiyi münasibətilə təntənəli iclas keçirilib
16:43
21 Sentyabr
İbrahim Əhməd Ömər: Sudan Azərbaycan ilə əməkdaşlığı inkişaf etdirmək əzmindədir
16:29
21 Sentyabr
İqtisadiyyat naziri Gəncədə vətəndaşları qəbul edib
16:25
21 Sentyabr
Baş prokuror Quba rayonunda vətəndaşları qəbul edib
16:23
21 Sentyabr
BDU ilə Darüssəlam Qontor Universiteti arasında əməkdaşlığa dair memorandum imzalanıb
16:13
21 Sentyabr
Bəstəkarlar İttifaqı Anarı “Üzeyir Hacıbəyli” medalı ilə təltif edib
16:12
21 Sentyabr
Binəli Yıldırım: Azərbaycanın qazandığı uğurlarda parlamentin böyük rolu var
15:52
21 Sentyabr
Dövlət Aqrar Ticarət Şirkəti ilə Rusiya Kənd Təsərrüfatı Nazirliyinin Analitik Mərkəzi arasında əməkdaşlıq memorandumu imzalanacaq
15:36
21 Sentyabr
Jan-Fransua Mansel: Fransa-Azərbaycan əlaqələrinin inkişafında parlamentlərarası münasibətlər xüsusi rol oynayır
15:34
21 Sentyabr
Dünya şöhrətli Sadhquru Heydər Əliyev Mərkəzində mühazirə deyəcək
15:27
21 Sentyabr
Bob Bləkmən: Demokratik inkişaf nəticəsində Azərbaycan dünyaya açılan bir ölkəyə çevrilib
15:25
21 Sentyabr
Nəqliyyat, rabitə və yüksək texnologiyalar naziri Qazaxda vətəndaşlarla görüşüb
14:35
21 Sentyabr
Kənd Təsərrüfatı Nazirliyində Asiya İnkişaf Bankının nümayəndələri ilə görüş keçirilib
14:32
21 Sentyabr
Bakıda cüdo üzrə dünya çempionatının təntənəli açılış mərasimi keçirilib
14:29
21 Sentyabr
Dövlət Gömrük Komitəsinin sədri Lənkəran şəhərində vətəndaşları qəbul edib
14:27
21 Sentyabr
Polad Bülbüloğlu Mixail Şvıdkoya Azərbaycan Prezidentinin fəxri diplomun təqdim edib
14:23
21 Sentyabr
Dastanbek Cumabekov: Azərbaycan parlamentinin qəbul etdiyi qanunlar ölkənin demokratik inkişafı üçün əsaslı zəmin yaradıb
14:20
21 Sentyabr
Əmək və əhalinin sosial müdafiəsi naziri dörd rayon və şəhərin sakinləri ilə görüşüb
14:18
21 Sentyabr
Mərzuq əl Ğanim: Küveyt Şərq ilə Qərb arasında körpü rolunu oynayan Azərbaycanla əlaqələrin inkişafında maraqlıdır
14:15
21 Sentyabr
ATƏT PA-nın sədri: Azərbaycanın regionda vacib ölkəyə çevrilməsinə parlament də öz töhfəsini verib
14:14
21 Sentyabr
Piter Kropş Avropa Xəbər Agentlikləri Alyansının prezidenti seçilib
14:11
21 Sentyabr
Arif Məlikovun yubileyinə həsr edilmiş elmi sessiya
14:09
21 Sentyabr
Tsveta Karayançeva: Sevindiricidir ki, 100 il sonra müstəqil Azərbaycan müasir dövlət kimi inkişaf edir
13:32
21 Sentyabr
Yeniyetmələrin III Yay Olimpiya Oyunlarında iştirak edəcək Azərbaycan nümayəndə heyəti ilə görüş keçirilib
13:29
21 Sentyabr
Azərbaycan Prezidenti İlham Əliyev Türkiyə Böyük Millət Məclisinin sədri ilə görüşüb
12:57
21 Sentyabr
Məleykə Abbaszadə: Gələn tədris ili üzrə ali məktəblərə qəbul üçün maksimal bal 700 olacaq
12:37
21 Sentyabr
Zakir Həsənov NATO baş katibinin müavini ilə görüşüb

Video

 

Müsahibə

 

Müəlliflər


»»»
ARXİV
B Be Ça Ç Ca C Ş
1
2 3 4 5 6 7 8
9 10 11 12 13 14 15
16 17 18 19 20 21 22
23 24 25 26 27 28 29
30
HAVA HAQQINDA