Ana səhifə »  Elm »  ÜMUMBƏŞƏRİ ƏHƏMİYYƏTLİ YENİ AZƏRBAYCAN ELMİ
A+   Yenilə  A-
ÜMUMBƏŞƏRİ ƏHƏMİYYƏTLİ YENİ AZƏRBAYCAN ELMİ
Ümummilli liderimiz Heydər Əliyevin memarı olduğu müstəqil respublikamızda möhtərəm Prezidentimiz İlham Əliyevin mütərəqqi daxili və xarici siyasəti və məqsədyönlü fəaliyyəti sayəsində böyük nailiyyətlər əldə edilir. Ölkəmizin sosial-iqtisadi, ictimai-siyasi, humanitar, hərbi və digər sahələrlə yanaşı, elm və təhsil sahələrində də əldə edilən böyük uğurlar cəmiyyətdə iftixarla qarşılanır, elmi-pedaqoji ictimaiyyətdə fədakarlıq hissi oyadır.
Dövlətimizin həyata keçirdiyi islahatlar, çoxsaylı proqramlar və layihələr nəticəsində təhsil sistemimizdə müasir tələblərə uyğun maddi-texniki baza yaradılmış, orta və ali məktəblər üçün elm və texnikanın son nailiyyətləri və milli-mənəvi dəyərlərimiz əks olunan dərsliklər və dərs vəsaitləri yazılmış, müasir informasiya - kommunikasiya texnologiyaları tədris proseslərinə daxil edilmiş və çoxfunksiyalı elektron qurğularla, mütərəqqi proqramlar və metodikalarla, yüksək ixtisaslı kadrlarla təchiz olunmuş Dövlət Tələbə Qəbulu Komissiyası kimi müasir Dövlət Elektron Mərkəzi yaradılmış, ali təhsil sistemimiz bakalavriant-magistratura ikisəviyyəli dünyəvi təhsil sisteminə keçmiş, beynəlxalq Boloniya bəyannaməsinə qoşulmuş və bu kimi çoxsaylı mühüm işlər görülmüşdür. Ölkəmizdə mövcud elm və təhsil prosesini professionallıqla təhlil edərək, mübaliğəsiz demək olar ki, təhsil sistemimizin müasir dünyəvi təhsil sistemi kimi fəaliyyət göstərməsi üçun artıq, zəruri təminat yaranmışdır.
Ölkəmizdə elmi-pedaqoji fəaliyyət üçün yaradılmış münbit şəraitdə təhsil sisteminin hərəkətverici qüvvəsi olan, elm sahəsində də samballı uğurlar qazanılmışdır. O cümlədən, müasir elektron texnikasının istinasız olaraq bütün cihaz və qurğularında, qismən mikroelektronikada və nanotexnologiyada, diskret yarımkeçirici cihazlar və inteqral sxem komponentləri kimi geniş istifadə olunan və fiziki xassələri beynəlxalq miqyasda yarım əsrdən çoxdur ki, geniş tədqiq edilən metal-yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elektrik sahəsinin yaranma hadisəsi kəşf edilmişdir. Azərbaycanın inkişaf tarixində ilk olan və indiyə qədər elmə məlum olmayan bu yeni fiziki hadisə beynəlxalq aləmdə elmi-texniki tərəqqinin yeni mərhələyə keçməsinə elmi əsas yaratmış və ölkəmizi, elmi kəşflərilə yüksək reytinq qazanmış qüdrətli dövlətlər sırasına çıxarmışdır.
Haqqında bəhs etdiyimiz yeni fiziki hadisə Bakı Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsində, məqalə müəllifinin elmi rəhbərliyilə uzun illərdən bəri yerinə yetirilən real (kontakt səthi məhdud olan) metal-yarımkeçirici kontakt hadisələrinin elmi-tədqiqat işi nəticəsində aşkar edilmişdir. Belə ki, həyata keçirilən əhatəli və dərin nəzəri araşdırmalar və fundamental eksperimental ölçmələrlə müəyyən edilmişdir ki, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda, onların hazırlanma texnologiyasından və kontakt materiallarının təbiətindən asılı olmayaraq, kontakt səthinin məhdudluğu hesabına əlavə elektrik sahəsi yaranır. Bu elektrik sahəsi, məşhur alman alimi Şottki tərəfindən ideal (kontakt səthi qeyri-məhdud olan) metal-yarımkeçirici kontaktlar üçün müəyyən edilmiş əsas elektrik sahəsi tərtibində olur və kontaktın funksional imkanlarının reallaşmasında fəal rol oynayır. Bu yeni fiziki hadisə haqqında “Metal - yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elekrik sahəsinin yaranması” adlı məqalə 1999-cu ildə Azərbaycan Respublikası Müəlliflik Hüququ Agentliyində qeydə alınmışdır (Müəlliflik Şəhadətnaməsi, Bakı, 1999, №05, 10 s.). Bununla belə, 2001-ci ildə əlavə elektrik sahəli metal-yarımkeçirici kontakt əsasında əks cərəyanı olmayan yarımkeçirici diod ixtira edilmiş və ona mərhum akademik Azad Mirzəcanzadənin şəxsi təqdimatı ilə Patent verilmişdır (“Yarımkeçirici diod”, Azərbaycan Milli Patent Ekspertiza Mərkəzi, 1999, Patent nömrəsi 2001- 0133), sonra isə davamı olaraq daha beş ixtira edilmişdir.
O zaman, əlavə elekrik sahəsini bilavasitə ölçmək üçün cihaz mövcud olmadığından, bu fiziki hadisənin doğruluğu elektrofiziki və termoelektrik eksperimental metodlarla təsdiq edilmişdir. Əlavə elekrik sahəli metal-yarımkeçirici kontaktların işlək energetik modelləri və cərəyan axma mexanizmləri işlənib hazırlanmışdır. Real metal-yarımkeçirici kontaktların elektrofiziki və konstruktiv parametrlərinin effektiv qiymətlərinin təyini üsulları ixtira edilmişdir. (“Şottki diodlarının perferiya cərəyanlarının və effektiv kontakt sahələrinin ölçülməsi üsulları”, Azərbaycan Milli Patent Ekspertiza Mərkəzi, 2000, Patent nömrəsi 2000 - 0052 və Patent nömrəsi 2000 - 0112). Əlavə elekrik sahəli metal-yarımkeçirici kontaktlar əsasında mövcud yarımkeçirici cihazların təkmilləşdirilməsinin və yeni sinif yarımkeçirici cihazların yaradılmasının fiziki əsasları müəyyən edilmişdir. Bu və digər mühüm orijinal elmi məlumatlar əsasında, dünya ədəbiyyatında ilk və yeganə olan “R.Q.Məmmədov, Əlavə elektrik sahəli metal-yarımkeçirici kontaktlar, Bakı, BDU, 2003, 231 s.” adlı rus dilində monoqrafiya yazılmış və o, sərbəst istifadə üçün internetdə yerləşdirilmişdir. Yarımkeçiricilər fizikası və elektronikası sahəsində “Əlavə elektrik sahəli metal-yarımkeçirici kontakt fizikası” adlı yeni elmi istiqamət açılmışdır. 2004-cü ildə “Real metal - yarımkeçirici kontaktların elektrofiziki xassələri” mövzusunda fizika-riyaziyyat elmləri üzrə doktorluq dissertasiya işi müdafiə edilmişdir. Əsaslı qaydada müəyyən olunmuşdur ki, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda baş verən problem xarakterli əksər elektron hadisələri, o cümlədən, mövcud fundamental model və nəzəriyyələrdən kəskin kənaraçıxmalar, əlavə elektrik sahəsinin təsirinin nəzərə alınması ilə aydın interpretasiya olunur. Bununla yanaşı, o da aşkar edilmişdir ki, əlavə elektrik sahəli metal - yarımkeçirici kontaktlar bir sıra perspektivli yeni xassələrə malikdir.
Azərbaycanda kəşf edilmiş yeni fiziki hadisə xarici ölkə alimlərinin də diqqətini cəlb etmişdir. Rusiya Federasiyasının Tomsk Dövlət Universitetinin Yarımkeçiricilər fizikası kafedrasında real metal-yarımkeçirici kontaktlarda yaranan əlavə elektrik sahəsi, nanotexnologiyanın müasir cihazı olan Atom Qüvvə Mikroskopu ilə bilavasitə ölçülmüş və onun kontakt səthi boyunca paylanmasının fenomenoloji modeli qurulmuşdur. Yuxarıda qeyd olunan monoqrafiya əsasında “Atom Qüvvə Mikroskopiya metodu ilə yarımkeçirici (A3B5) səthinin morfologiyasının, elektron xassələrinin və metal - A3B5 kontaktların tədqiqi” (Tomsk, 2010) adlı fizika üzrə fəlsəfə doktorluq dissertasiya işi yazılaraq, müdafiə olunmuşdur. Diqqətəlayiq haldır ki, 2009-2011-ci illərdə Tomsk Dövlət Universitetində və Rusiya Federasiyası Yarımkeçirici Cihazlar Elmi Tədqiqat İnstitutunda, müasir texnologiya və ölçü texnikaları ilə əlavə elektrik sahəsinin fundamental tədqiqi aparılmış və alınan yeni elmi nəticələr silsilə məqalələrlə Rusiya Elmlər Akademiyasının “Yarımkeçiricilərin Fizikası və Texnikası”, “Səth: Rentgen, Sinxroton və Nüvə Tədqiqatları” və s. kimi nüfuzlu elmi jurnallarında rus və ingilis dillərində dərc olunmuşdur. Çoxsaylı məruzələr isə “İYT texnikası və telekommunikasiya texnologiyaları, Sevostopol - 2009, 2010, 2011”, “Yarimkeçiricilər, Tomsk-2009”, “Radiofizikanın aktual problemləri, Tomsk-2010” və s. kimi Beynəlxalq Konfranslarda dinlənilmişdir.
Aktuallığına xüsusi diqqət yetirdiyimiz metal-yarımkeçirici kontakt hadisələri, elmi-texniki tərəqqinin tarixi inkişafının bütün mərhələlərində mühüm rol oynamış və müstəsna əhəmiyyət kəsb etmişdir. Hələ 1874-cü ildə, alman alimi Ferdinand Braun real metal-yarımkeçirici kontaktlarda diod effekti (cərəyanı düz istiqamətdə yaxşı və əks istiqamətdə pis keçirmək) kəşf etmişdir. Bu hadisənin fizikası nəzəri olaraq keçən əsrin 40-cı illərinə qədər məlum olmamışdır. Buna baxmayaraq, XX əsrin əvvəllərində diod xassəli metal-yarımkeçirici kontaktlar əsasında çoxsaylı detektorlar ixtira edilmişdir ki, bu da radioelektronikanın bütövlükdə inkişafına güclü təkan vermişdir və kəşfin müəllifi F.Braun 1909-cu ildə Nobel mükafatına layiq görülmüşdür. II Dünya müharibəsi illərində kiçik həcmli radiocihazlara ciddi ehtiyac duyulduğundan, metal-yarımkeçirici kontakt hadisələri beynəlxalq miqyasda ən aktual problem kimi intensiv tədqiq olunmuşdur. Alman alimi Volter Şottki ideal metal-yarımkeçirici kontaktların fundamental energetik modellərini və Hans Bete isə cərəyan axınının termoelektron emissiya nəzəriyyəsini işləyib hazırlamışdır.
Mükəmməl nəzəriyyəsi məlum olduqdan sonra metal-yarımkeçirici kontaktların elektron proseslərinin tədqiqində və onların praktiki tətbiqində böyük nailiyyətlər əldə edilmişdir. 1949-cu ildə Amerika alimləri V.Şottki, C.Bardin və U.Bratteyn tərəfindən metal-yarımkeçirici kontaktlarda tranzistor effekti (cərəyan və gərinliyin gücləndirilməsi) kəşf edilmiş və nəticədə elmi-texniki inqilab baş vermişdir. Dünyada irihəcimli (təxminən kibrit qutusu ölçüsündə) lampalar əsasında hazırlanan bütün elektron qurğuları mənəvi aşınmaya məruz qalaraq, kütləvi halda istismardan çıxarılmışdır və onlar böyük üstünlüklərə malik, kiçikhəcimli (təxminən düymə ölçüdə) tranzistorlu daha müasir qurğularla əvəz edilmişdir. Bu kəşfin müəllifləri 1956-cı ildə Nobel mükafatına layiq görülmüşdülər. Elmi ədəbiyyatda tranzistor effektinin kəşfi dünyada mövcud olan bütün digər kəşflərlə müqayisədə insanlığa ən çox fayda verən kəşf hesab edilir. Bununla belə, böyük uğurlarla yanaşı, o da tam yəqin edilmişdir ki, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda mövcud fundamental model və nəzəriyyələrdən ciddi kənaraçıxmalar müşahidə olunur. Buna əsas səbəb kimi, o dövrdə metal-yarımkeçirici kontaktların hazırlanma texnologiyasının mükəmməl olmaması güman edilmişdir.
Elektron cihazları texnologiyasının təkmilləşməsi sayəsində 1959-cu ildə Amerika mütəxəssisləri C.Kilbi və R.Noys tərəfindən, təxminən bir düymə ölçüdə yarımkeçirici kristal üzərində yerləşən, çox sayda diod və tranzistordan ibarət elektrik sxemi, yəni, mikrosxem və ya inteqral sxemi, ixtira edilmiş və mikroelektronikanın yaranmasında ilk mühüm addım atılmışdır. Fizika, kimya, texnika, texnologiya kimi bir sıra elmlərin qovşağında formalaşan mikroelektronikanın sonrakı inkişafı ilə əlaqədar olaraq, daha mükəmməl litoqrafiya texnologiyası yaradılmışdır. Minlərlə metal-yarımkeçirici kontakt komponentlərindən təşkil olunan mikrosxemlərin istismarı geniş vüsət almış və növbəti elmi-texniki inqilab baş vermişdir. Dünyada diskret yarımkeçirici cihazlar əsasında hazırlanmış bütün elektron qurğuları mənəva aşınmaya məruz qalaraq, kütləvi halda istismardan çıxarılmış və onlar böyük üstünlüklərə malik inteqral sxemlərlə əvəz edilmişdir. Elmi-texniki inqilablar nəticəsində əldə olunan mühüm nailiyyətlərdən biri də odur ki, elektron elementlərinin maya dəyəri fantastik dərəcədə azalmışdır. Alman ədəbiyyatının 1990-cı il məlumatına görə bir ədəd lampanın və tranzistorun maya dəyərləri, uyğun olaraq, 10 (on) marka və 1 (bir) marka olduğu halda, minlərlə tranzistor kimi komponentlərdən ibarət olan bir ədəd inteqral sxemin maya dəyəri cəmi 0,0001 (on mində bir) marka olmuşdur.
Müasir litoqrafiya texnologiyası ilə hazırlanan mükəmməl metal-yarımkeçirici kontakt hadisələri, nəzəri olaraq güman edilən bir sıra real faktorların təsiri nəzərə alınmaqla, beynəlxalq miqyasda geniş və intensiv tədqiq edilmişdir. Statistik məlumatlara görə, 1970-1980-ci illərdə, dünyada yarımkeçiricilər sahəsində ən çox məqalə metal-yarımkeçirici kontakt hadisələrin tədqiqinə həsr edilmiş, çoxsaylı orijinal və abzor məqalələr, monoqrafiyalar, dərsliklər dərc edilmiş və Beynəlxalq Elmi-Texniki Konfranslarda elmi məruzələr dinlənilmişdir. Real metal-yarımkeçirici kontaktların praktiki tətbiqində ciddi uğurlar əldə edilmiş, o cümlədən, böyük (on minlərlə kontakt komponentlərindən ibarət) və ifrat böyük (yüz minlərlə kontakt komponentlərindən ibarət) inteqral sxemlərin istehsalı genişlənmişdir. Eyni zamanda, XX əsrin sonuna qədər praktiki mövcud olan bütün yarımkeçiricilərlə müxtəlif metalların mümkün olan kontaktlarında baş verən elektron prosesləri geniş tədqiq edilmiş və tam məlum olmuşdur ki, real metal-yarımkeçirici kontakt fizikasında bir sıra problemlər öz həllini hələ də tapmamışdır. Bununla yanaşı, real metal - yarımkeçirici kontaktların hərtərəfli tədqiqi nəticəsində formalaşmış aydın fiziki mənzərə fonunda, ölkəmizdə aparılan əhatəli nəzəri araşdırmalar və məqsədyönlü eksperimental tədqiqatlar nəticəsində, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elektrik sahəsinin yaranması kimi yeni fiziki hadisə kəşf edilmişdir.
Real metal-yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elektrik sahəsinin yaranma hadisəsinin mühüm cəhətlərindən biri odur ki, bu hadisə onun aidiyyəti olduğu yarımkeçiricilər, yarımkeçirici cihazları, bərk cisimlər, nazik təbəqələr, səth fizikası, nanofizika kimi elm sahələrində, mikroelektronika, fiziki elektronika, optoelektronika, fotoelektronika, bioelektronika, nanoelektronika və digər elektron texnikası sahələrində yeni elmi istiqamətlərin açılmasının elmi əsasını təşkil edir.
Eyni zamanda, bu kəşf, müasir elektron texnikasının istisnasız olaraq bütün elektron qurğu və cihazlarının element bazalarını təşkil edən müxtəlif növ diskret yarımkeçirici cihazların, mikrosxemlərin, nanosxemlərin keyfiyyətinin yüksəldilməsinə və funksional imkanlarının genişləndirilməsinə, yeni sinif baza elementlərinin və inteqral sxemlərin hazırlanmasına imkanlar açır. Nüfuzlu xarici jurnallarda 2011-2012-ci illərdə dərc olunan elmi məlumatlara görə, artıq işıq enerjisini elektrik enerjisinə çevirən, əlavə elektrik sahəli yeni fotoelektrik çeviricilər (Alternativ enerji mənbəyi) yaradılmışdır ki, onlar işıq cərəyanını qaranlıq cərəyanına nisbətən 1000 (min) dəfə artırır (FTP,2011,v.45, №7, s.965). Halbuki, ənənəvi oxşar fotoelektrik çeviricilər (Alternativ enerji mənbəyi), işıq cərəyanını qaranlıq cərəyanına nisbətən cəmi təqribən 10 (on) dəfə artırır. Digər məlumatda isə bildirilir ki, əlavə elektrik sahəsinin təsiri nəticəsində metal-yarımkeçirici kontakt əsasında hazırlanmış fotoelektrik çeviricilərin həssaslığı gərginliyə görə 50 faiz və cərəyana görə isə 50 dəfə artır (“Microwave and Telecommunication Technology” 21th International Crimean Conference Publications, 2011, p.699). Böyük maraq kəsb edən məlumatlardan biri də odur ki, əlavə elektrik sahəli yeni Şottki diodları (İnformasiya və kommunikasiya texnologiyaları məhsullarının fəal komponentləri) hazırlanmışdır ki, onlar neqativ xarakterli əks cərəyana malik olmurlar (J.Microelectronics Reliability, 2012, v.52, № 2, p.418).
Xarici ölkə mütəxəssisləri tərəfindən xüsusi diqqət yetirilən, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda aşkar etdiyimiz əlavə elektrik sahəsinin yaranma hadisəsi haqqında geniş elmi məlumat, 2012-ci ilin ilk günlərindən başlayaraq 30-dan artıq xarici internet saytlarında (məsələn, www.nanometer.ru/news_list.html, www.people.su/70512, www.nanonewsnet.ru, www.novostinauki.ru/news/42839/ və s.) əvvəllər elmə məlum olmayan, ümumbəşəri əhəmiyyətə malik mühüm elmi yenilik kimi yayılmışdır və yayılmaqda davam edir.
Ölkəmizin mülkiyyətçisi olduğu bu elmi kəşf, müasir elektron texnikasının əhatə etdiyi elm və təhsil sahələri üzrə yeni dərsliklər, dərs vəsaitləri, monoqrafiyalar yazılması və respublikamızda innovasiyayönümlü və investisiya tutumlu elektron texnikası məhsulları istehsalı üçün xüsusilə yararlıdır. Mübaliğəsiz demək olar ki, ümumbəşəri əhəmiyyətli yeni Azərbaycan elminin, intellektual mülkiyyətinin, insanlara verə biləcəyi fayda, yuxarıda qeyd edilən məlum tranzistor effekti kəşfinin verdiyi ümumbəşəri fayda ilə müqayisə olunandır.
Rasim MƏMMƏDOV
Fizika-riyaziyyat elmləri doktoru, professor
 
  • Oxunub:  44430  |  
  • Tarix:  20-09-2012  |  
  •    Çap et   |  
Get Adobe Flash player
Əli Əhmədov: Əli İnsanov əvvəlki səhvinin mənəvi yükünü nəinki dərk edir, hətta onu yenidən etməyə hazırdır

25 Mart 14:14
Aprelin əvvəlindən müharibə veteranlarına Prezidentin aylıq təqaüdü təyin olunacaq
25 Mart 11:41
Pekin Xarici Dillər Universitetində Novruz şənliyi
25 Mart 11:24
Vaşinqtonda Novruz şənliyi keçirilib
25 Mart 11:21
Strasburqda “Azərbaycan Ədəbiyyatı Antologiyası” kitabının təqdimatı olub
25 Mart 11:18
"Avro-2020"-nin talismanı təqdim olunub
25 Mart 11:14
Ermənistan silahlı qüvvələrinin bölmələri sutka ərzində atəşkəs rejimini 22 dəfə pozub
25 Mart 11:12
Azərbaycan BMT-nin Dayanıqlı İnkişaf Gündəliyinin icrasında fəal rol oynayır
25 Mart 11:10
Amerikalı jurnalistlərə Dağlıq Qarabağ münaqişəsi ilə bağlı həqiqətlər çatdırılıb
25 Mart 11:07
Şanxay Əməkdaşlıq Təşkilatının baş katibi: Azərbaycan Prezident İlham Əliyevin müdrik rəhbərliyi ilə böyük nəticələr əldə edir
24 Mart 11:55
Xarici işlər naziri Elmar Məmmədyarov Paraqvaya rəsmi səfəri çərçivəsində bir sıra görüşlər keçirib
24 Mart 11:51
Doqquz rayondan olan 360 məktəbli şimal-qərb bölgəsinə ekskursiya çərçivəsində Qəbələyə gəlib
24 Mart 11:47
Tur-aksiya iştirakçılarının Lənkərana ekskursiyası Heydər Əliyev Mərkəzi ilə tanışlıqdan başlayıb
24 Mart 11:40
Naxçıvan məktəbliləri İçərişəhərlə tanış olublar
24 Mart 11:35
Özbəkistanda keçirilən festivalda azərbaycanlı dizaynerin “Novruz” kolleksiyası nümayiş etdirilib
24 Mart 11:29
Qardaşlaşmış Xırdalan və Cocuq Mərcanlı məktəblərinin Novruz görüşü
24 Mart 11:24
Bakılı məktəblilər Naxçıvan şəhərindəki tarixi, mədəni və təhsil müəssisələri ilə tanış olublar
24 Mart 11:21
Ankarada birinci Türk Dünyası Qurultayı təşkil olunub
24 Mart 11:15
Uruqvayın xarici işlər naziri: Azərbaycanla münasibətləri gələcəkdə daha da dərinləşdirmək niyyətindəyik
23 Mart 17:13
Azərbaycan hərbçiləri Pakistanın Milli Gününə həsr olunmuş hərbi paradda iştirak ediblər
23 Mart 16:34
Azərbaycan ilə Uruqvay arasında əlaqələrin inkişafı məsələləri müzakirə olunub
23 Mart 16:20
İki ayda Azərbaycan ilə Belarus arasında idxal-ixrac əməliyyatları 60 milyon dollara çatıb
23 Mart 15:58
Hedva Ser: UNESCO-da “Yeddi gözəl” muğam konserti möhtəşəm oldu
23 Mart 13:49
Cenevrədə Ümumdünya Əqli Mülkiyyət Təşkilatında Beynəlxalq Novruz Günü qeyd edilib
23 Mart 13:41
Daşkənddəki Heydər Əliyev adına Azərbaycan Mədəniyyət Mərkəzində Novruz şənliyi təşkil edilib
23 Mart 10:11
Meksika senatında Novruz bayramı təntənəsi
23 Mart 09:49
“Ölkəmizi tanıyaq” maarifləndirici tur-aksiyasının növbəti mərhələsinə start verilir
23 Mart 09:43
Azərbaycanın müdafiə naziri Pakistanın Quru Qoşunları komandanı ilə görüşüb
23 Mart 09:34
Ann-Sofi Kopən: Azərbaycan xalqı zəngin mədəniyyətə sahibdir
23 Mart 09:32
Azərbaycan nümayəndələri Dünya Bankının Daşkənddə keçirilən iclasında iştirak ediblər
23 Mart 09:29
Azərbaycan ilə Pakistan arasında hərbi sahədə əməkdaşlığın inkişaf etdirilməsi məsələləri müzakirə olunub
23 Mart 09:23
Nazirlik: Birinci qrup əlilliyə görə əmək pensiyası alanlara da gələn aydan Prezidentin təqaüdü veriləcək
23 Mart 09:17
İstanbulda İƏT-in Xarici İşlər Nazirləri Şurasının növbədənkənar iclası keçirilib
23 Mart 09:13
Prezident Arif Alvi: Pakistan Dağlıq Qarabağ münaqişəsinin həllində Azərbaycanın haqlı mövqeyini dəstəkləyir
22 Mart 14:06
Azərbaycan və Argentina parlamentlərarası əlaqələrin daha da dərinləşdirilməsinə dair fikir mübadiləsi aparıb
22 Mart 13:59
Azərbaycan və Pakistan arasında hərblə bağlı sahələrdə əməkdaşlığın inkişafı məsələləri müzakirə olunub
22 Mart 13:53
"The Washington Times" Azərbaycanın iqtisadi-siyasi nailiyyətlərindən yazıb
22 Mart 13:48
Jan Dürinq: Qarabağ, xüsusən də Şuşa Azərbaycan musiqisinin beşiyidir
22 Mart 13:44
“Saat Meydanı” Kompleksi sakinlərin və turistlərin rahatlığına hesablanıb
22 Mart 13:40
BMT-də Beynəlxalq Novruz Günü qeyd olunub
22 Mart 13:34
Türkiyə KİV-ləri Prezident İlham Əliyevin Azərbaycan xalqına bayram təbrikini geniş işıqlandırıb
22 Mart 13:31
Azərbaycan və Ekvador arasında diplomatik münasibətlərin qurulmasından 15 il ötür
21 Mart 17:46
Azərbaycan və Argentina arasında əməkdaşlığın perspektivləri müzakirə edilib
21 Mart 17:42
Formula 1 Azərbaycan Qran-Prisinə hazırlıq davam edir
21 Mart 17:39
Mənəvi dəyərlərimizə böyük qayğı
21 Mart 17:35
Əli Həsənov: Nursultan Nazarbayevin qərarı qazax xalqının firavan gələcəyini təmin edəcək
21 Mart 15:07
Doğma bulvarda Novruz...
21 Mart 14:09
İstanbulda türk xalqlarının təmsil olunduğu Novruz şənliyi keçirilib
21 Mart 14:07
Suraxanı rayonunda Novruz bayramı geniş qeyd edilir
21 Mart 14:02
Azərbaycan və İran dövlət sərhədində Novruz bayramı münasibətilə tədbir təşkil olunub
21 Mart 13:53
Meksikada Novruz bayramı və Azərbaycan Mədəniyyəti Günü qeyd olunub
21 Mart 13:49
21 mart - Beynəlxalq Meşələr və Ağaclar Günüdür
21 Mart 13:43
Azərbaycan komandası Xüsusi Yay Olimpiya Oyunlarında möhtəşəm qələbə qazanıb
21 Mart 13:38
Paytaxtımızda Novruz bayramı böyük təntənə ilə qeyd edilir
21 Mart 13:30
UNESCO-nun baş qərargahında Alim Qasımovun “Yeddi gözəl” muğam konserti olub
21 Mart 13:24
Birinci vitse-prezident Mehriban Əliyeva Dariqa Nazarbayevanı təbrik edib
21 Mart 10:16
Qırxa yaxın ölkənin iştirak etdiyi sərgidə XİN-in Beynəlxalq İnkişafa Yardım Agentliyi öz stendi ilə təmsil olunub
21 Mart 10:12
“Avro 2020”: Bu gün Azərbaycan millisi ilk oyununa çıxacaq
21 Mart 10:09
Azərbaycan və Xorvatiya arasında müdafiə sahəsində əməkdaşlıq müzakirə edilib
21 Mart 10:03
Elmar Məmmədyarov: Ermənistanın hərbi işğalına son qoyulacağı təqdirdə, Azərbaycan Cənub-Cənub əməkdaşlığına daha fəal töhfə verə biləcək
21 Mart 09:58
Azərbaycana yaz gəldi…
20 Mart 17:30
Müdafiə Nazirliyinin rəhbərliyi Novruz bayramı münasibətilə hərbi hospitalda olub
20 Mart 16:09
Gürcüstan Prezidenti Salome Zurabişvili Qardabanidə azərbaycanlıların Novruz şənliklərinə qatılıb
20 Mart 16:00
Prezidentin Mətbuat Xidmətinin məlumatı
20 Mart 15:36
Azərbaycan Ordusunun nümayəndələri Pakistanın Milli Gününə həsr olunmuş paradda iştirak edəcəklər
20 Mart 15:25
Prezidentin Mətbuat Xidmətinin məlumatı
20 Mart 14:41
Novruz bayramı muxtar respublikamızda yüksək əhval-ruhiyyə ilə qeyd edilib
20 Mart 14:32
Azərbaycan ilə Çili arasında müxtəlif sahələrdə əlaqələrin inkişafı üçün geniş potensial var
20 Mart 14:29
20 mart – Ümumdünya Yer Kürəsi Günüdür
20 Mart 14:24
Bayram konserti əsgər və zabitlərdə xoş əhval-ruhiyyə yaradıb
20 Mart 14:19
Hikmət Hacıyev: Azərbaycanın işğal edilmiş torpaqları azad olunmalı, qaçqın və məcburi köçkünlər öz torpaqlarına qayıtmalıdırlar

Video

 

Müsahibə

 

Müəlliflər


»»»
ARXİV
B Be Ça Ç Ca C Ş
1 2
3 4 5 6 7 8 9
10 11 12 13 14 15 16
17 18 19 20 21 22 23
24 25 26 27 28 29 30
31
HAVA HAQQINDA