Ana səhifə »  Elm »  ÜMUMBƏŞƏRİ ƏHƏMİYYƏTLİ YENİ AZƏRBAYCAN ELMİ
A+   Yenilə  A-
ÜMUMBƏŞƏRİ ƏHƏMİYYƏTLİ YENİ AZƏRBAYCAN ELMİ
Ümummilli liderimiz Heydər Əliyevin memarı olduğu müstəqil respublikamızda möhtərəm Prezidentimiz İlham Əliyevin mütərəqqi daxili və xarici siyasəti və məqsədyönlü fəaliyyəti sayəsində böyük nailiyyətlər əldə edilir. Ölkəmizin sosial-iqtisadi, ictimai-siyasi, humanitar, hərbi və digər sahələrlə yanaşı, elm və təhsil sahələrində də əldə edilən böyük uğurlar cəmiyyətdə iftixarla qarşılanır, elmi-pedaqoji ictimaiyyətdə fədakarlıq hissi oyadır.
Dövlətimizin həyata keçirdiyi islahatlar, çoxsaylı proqramlar və layihələr nəticəsində təhsil sistemimizdə müasir tələblərə uyğun maddi-texniki baza yaradılmış, orta və ali məktəblər üçün elm və texnikanın son nailiyyətləri və milli-mənəvi dəyərlərimiz əks olunan dərsliklər və dərs vəsaitləri yazılmış, müasir informasiya - kommunikasiya texnologiyaları tədris proseslərinə daxil edilmiş və çoxfunksiyalı elektron qurğularla, mütərəqqi proqramlar və metodikalarla, yüksək ixtisaslı kadrlarla təchiz olunmuş Dövlət Tələbə Qəbulu Komissiyası kimi müasir Dövlət Elektron Mərkəzi yaradılmış, ali təhsil sistemimiz bakalavriant-magistratura ikisəviyyəli dünyəvi təhsil sisteminə keçmiş, beynəlxalq Boloniya bəyannaməsinə qoşulmuş və bu kimi çoxsaylı mühüm işlər görülmüşdür. Ölkəmizdə mövcud elm və təhsil prosesini professionallıqla təhlil edərək, mübaliğəsiz demək olar ki, təhsil sistemimizin müasir dünyəvi təhsil sistemi kimi fəaliyyət göstərməsi üçun artıq, zəruri təminat yaranmışdır.
Ölkəmizdə elmi-pedaqoji fəaliyyət üçün yaradılmış münbit şəraitdə təhsil sisteminin hərəkətverici qüvvəsi olan, elm sahəsində də samballı uğurlar qazanılmışdır. O cümlədən, müasir elektron texnikasının istinasız olaraq bütün cihaz və qurğularında, qismən mikroelektronikada və nanotexnologiyada, diskret yarımkeçirici cihazlar və inteqral sxem komponentləri kimi geniş istifadə olunan və fiziki xassələri beynəlxalq miqyasda yarım əsrdən çoxdur ki, geniş tədqiq edilən metal-yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elektrik sahəsinin yaranma hadisəsi kəşf edilmişdir. Azərbaycanın inkişaf tarixində ilk olan və indiyə qədər elmə məlum olmayan bu yeni fiziki hadisə beynəlxalq aləmdə elmi-texniki tərəqqinin yeni mərhələyə keçməsinə elmi əsas yaratmış və ölkəmizi, elmi kəşflərilə yüksək reytinq qazanmış qüdrətli dövlətlər sırasına çıxarmışdır.
Haqqında bəhs etdiyimiz yeni fiziki hadisə Bakı Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsində, məqalə müəllifinin elmi rəhbərliyilə uzun illərdən bəri yerinə yetirilən real (kontakt səthi məhdud olan) metal-yarımkeçirici kontakt hadisələrinin elmi-tədqiqat işi nəticəsində aşkar edilmişdir. Belə ki, həyata keçirilən əhatəli və dərin nəzəri araşdırmalar və fundamental eksperimental ölçmələrlə müəyyən edilmişdir ki, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda, onların hazırlanma texnologiyasından və kontakt materiallarının təbiətindən asılı olmayaraq, kontakt səthinin məhdudluğu hesabına əlavə elektrik sahəsi yaranır. Bu elektrik sahəsi, məşhur alman alimi Şottki tərəfindən ideal (kontakt səthi qeyri-məhdud olan) metal-yarımkeçirici kontaktlar üçün müəyyən edilmiş əsas elektrik sahəsi tərtibində olur və kontaktın funksional imkanlarının reallaşmasında fəal rol oynayır. Bu yeni fiziki hadisə haqqında “Metal - yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elekrik sahəsinin yaranması” adlı məqalə 1999-cu ildə Azərbaycan Respublikası Müəlliflik Hüququ Agentliyində qeydə alınmışdır (Müəlliflik Şəhadətnaməsi, Bakı, 1999, №05, 10 s.). Bununla belə, 2001-ci ildə əlavə elektrik sahəli metal-yarımkeçirici kontakt əsasında əks cərəyanı olmayan yarımkeçirici diod ixtira edilmiş və ona mərhum akademik Azad Mirzəcanzadənin şəxsi təqdimatı ilə Patent verilmişdır (“Yarımkeçirici diod”, Azərbaycan Milli Patent Ekspertiza Mərkəzi, 1999, Patent nömrəsi 2001- 0133), sonra isə davamı olaraq daha beş ixtira edilmişdir.
O zaman, əlavə elekrik sahəsini bilavasitə ölçmək üçün cihaz mövcud olmadığından, bu fiziki hadisənin doğruluğu elektrofiziki və termoelektrik eksperimental metodlarla təsdiq edilmişdir. Əlavə elekrik sahəli metal-yarımkeçirici kontaktların işlək energetik modelləri və cərəyan axma mexanizmləri işlənib hazırlanmışdır. Real metal-yarımkeçirici kontaktların elektrofiziki və konstruktiv parametrlərinin effektiv qiymətlərinin təyini üsulları ixtira edilmişdir. (“Şottki diodlarının perferiya cərəyanlarının və effektiv kontakt sahələrinin ölçülməsi üsulları”, Azərbaycan Milli Patent Ekspertiza Mərkəzi, 2000, Patent nömrəsi 2000 - 0052 və Patent nömrəsi 2000 - 0112). Əlavə elekrik sahəli metal-yarımkeçirici kontaktlar əsasında mövcud yarımkeçirici cihazların təkmilləşdirilməsinin və yeni sinif yarımkeçirici cihazların yaradılmasının fiziki əsasları müəyyən edilmişdir. Bu və digər mühüm orijinal elmi məlumatlar əsasında, dünya ədəbiyyatında ilk və yeganə olan “R.Q.Məmmədov, Əlavə elektrik sahəli metal-yarımkeçirici kontaktlar, Bakı, BDU, 2003, 231 s.” adlı rus dilində monoqrafiya yazılmış və o, sərbəst istifadə üçün internetdə yerləşdirilmişdir. Yarımkeçiricilər fizikası və elektronikası sahəsində “Əlavə elektrik sahəli metal-yarımkeçirici kontakt fizikası” adlı yeni elmi istiqamət açılmışdır. 2004-cü ildə “Real metal - yarımkeçirici kontaktların elektrofiziki xassələri” mövzusunda fizika-riyaziyyat elmləri üzrə doktorluq dissertasiya işi müdafiə edilmişdir. Əsaslı qaydada müəyyən olunmuşdur ki, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda baş verən problem xarakterli əksər elektron hadisələri, o cümlədən, mövcud fundamental model və nəzəriyyələrdən kəskin kənaraçıxmalar, əlavə elektrik sahəsinin təsirinin nəzərə alınması ilə aydın interpretasiya olunur. Bununla yanaşı, o da aşkar edilmişdir ki, əlavə elektrik sahəli metal - yarımkeçirici kontaktlar bir sıra perspektivli yeni xassələrə malikdir.
Azərbaycanda kəşf edilmiş yeni fiziki hadisə xarici ölkə alimlərinin də diqqətini cəlb etmişdir. Rusiya Federasiyasının Tomsk Dövlət Universitetinin Yarımkeçiricilər fizikası kafedrasında real metal-yarımkeçirici kontaktlarda yaranan əlavə elektrik sahəsi, nanotexnologiyanın müasir cihazı olan Atom Qüvvə Mikroskopu ilə bilavasitə ölçülmüş və onun kontakt səthi boyunca paylanmasının fenomenoloji modeli qurulmuşdur. Yuxarıda qeyd olunan monoqrafiya əsasında “Atom Qüvvə Mikroskopiya metodu ilə yarımkeçirici (A3B5) səthinin morfologiyasının, elektron xassələrinin və metal - A3B5 kontaktların tədqiqi” (Tomsk, 2010) adlı fizika üzrə fəlsəfə doktorluq dissertasiya işi yazılaraq, müdafiə olunmuşdur. Diqqətəlayiq haldır ki, 2009-2011-ci illərdə Tomsk Dövlət Universitetində və Rusiya Federasiyası Yarımkeçirici Cihazlar Elmi Tədqiqat İnstitutunda, müasir texnologiya və ölçü texnikaları ilə əlavə elektrik sahəsinin fundamental tədqiqi aparılmış və alınan yeni elmi nəticələr silsilə məqalələrlə Rusiya Elmlər Akademiyasının “Yarımkeçiricilərin Fizikası və Texnikası”, “Səth: Rentgen, Sinxroton və Nüvə Tədqiqatları” və s. kimi nüfuzlu elmi jurnallarında rus və ingilis dillərində dərc olunmuşdur. Çoxsaylı məruzələr isə “İYT texnikası və telekommunikasiya texnologiyaları, Sevostopol - 2009, 2010, 2011”, “Yarimkeçiricilər, Tomsk-2009”, “Radiofizikanın aktual problemləri, Tomsk-2010” və s. kimi Beynəlxalq Konfranslarda dinlənilmişdir.
Aktuallığına xüsusi diqqət yetirdiyimiz metal-yarımkeçirici kontakt hadisələri, elmi-texniki tərəqqinin tarixi inkişafının bütün mərhələlərində mühüm rol oynamış və müstəsna əhəmiyyət kəsb etmişdir. Hələ 1874-cü ildə, alman alimi Ferdinand Braun real metal-yarımkeçirici kontaktlarda diod effekti (cərəyanı düz istiqamətdə yaxşı və əks istiqamətdə pis keçirmək) kəşf etmişdir. Bu hadisənin fizikası nəzəri olaraq keçən əsrin 40-cı illərinə qədər məlum olmamışdır. Buna baxmayaraq, XX əsrin əvvəllərində diod xassəli metal-yarımkeçirici kontaktlar əsasında çoxsaylı detektorlar ixtira edilmişdir ki, bu da radioelektronikanın bütövlükdə inkişafına güclü təkan vermişdir və kəşfin müəllifi F.Braun 1909-cu ildə Nobel mükafatına layiq görülmüşdür. II Dünya müharibəsi illərində kiçik həcmli radiocihazlara ciddi ehtiyac duyulduğundan, metal-yarımkeçirici kontakt hadisələri beynəlxalq miqyasda ən aktual problem kimi intensiv tədqiq olunmuşdur. Alman alimi Volter Şottki ideal metal-yarımkeçirici kontaktların fundamental energetik modellərini və Hans Bete isə cərəyan axınının termoelektron emissiya nəzəriyyəsini işləyib hazırlamışdır.
Mükəmməl nəzəriyyəsi məlum olduqdan sonra metal-yarımkeçirici kontaktların elektron proseslərinin tədqiqində və onların praktiki tətbiqində böyük nailiyyətlər əldə edilmişdir. 1949-cu ildə Amerika alimləri V.Şottki, C.Bardin və U.Bratteyn tərəfindən metal-yarımkeçirici kontaktlarda tranzistor effekti (cərəyan və gərinliyin gücləndirilməsi) kəşf edilmiş və nəticədə elmi-texniki inqilab baş vermişdir. Dünyada irihəcimli (təxminən kibrit qutusu ölçüsündə) lampalar əsasında hazırlanan bütün elektron qurğuları mənəvi aşınmaya məruz qalaraq, kütləvi halda istismardan çıxarılmışdır və onlar böyük üstünlüklərə malik, kiçikhəcimli (təxminən düymə ölçüdə) tranzistorlu daha müasir qurğularla əvəz edilmişdir. Bu kəşfin müəllifləri 1956-cı ildə Nobel mükafatına layiq görülmüşdülər. Elmi ədəbiyyatda tranzistor effektinin kəşfi dünyada mövcud olan bütün digər kəşflərlə müqayisədə insanlığa ən çox fayda verən kəşf hesab edilir. Bununla belə, böyük uğurlarla yanaşı, o da tam yəqin edilmişdir ki, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda mövcud fundamental model və nəzəriyyələrdən ciddi kənaraçıxmalar müşahidə olunur. Buna əsas səbəb kimi, o dövrdə metal-yarımkeçirici kontaktların hazırlanma texnologiyasının mükəmməl olmaması güman edilmişdir.
Elektron cihazları texnologiyasının təkmilləşməsi sayəsində 1959-cu ildə Amerika mütəxəssisləri C.Kilbi və R.Noys tərəfindən, təxminən bir düymə ölçüdə yarımkeçirici kristal üzərində yerləşən, çox sayda diod və tranzistordan ibarət elektrik sxemi, yəni, mikrosxem və ya inteqral sxemi, ixtira edilmiş və mikroelektronikanın yaranmasında ilk mühüm addım atılmışdır. Fizika, kimya, texnika, texnologiya kimi bir sıra elmlərin qovşağında formalaşan mikroelektronikanın sonrakı inkişafı ilə əlaqədar olaraq, daha mükəmməl litoqrafiya texnologiyası yaradılmışdır. Minlərlə metal-yarımkeçirici kontakt komponentlərindən təşkil olunan mikrosxemlərin istismarı geniş vüsət almış və növbəti elmi-texniki inqilab baş vermişdir. Dünyada diskret yarımkeçirici cihazlar əsasında hazırlanmış bütün elektron qurğuları mənəva aşınmaya məruz qalaraq, kütləvi halda istismardan çıxarılmış və onlar böyük üstünlüklərə malik inteqral sxemlərlə əvəz edilmişdir. Elmi-texniki inqilablar nəticəsində əldə olunan mühüm nailiyyətlərdən biri də odur ki, elektron elementlərinin maya dəyəri fantastik dərəcədə azalmışdır. Alman ədəbiyyatının 1990-cı il məlumatına görə bir ədəd lampanın və tranzistorun maya dəyərləri, uyğun olaraq, 10 (on) marka və 1 (bir) marka olduğu halda, minlərlə tranzistor kimi komponentlərdən ibarət olan bir ədəd inteqral sxemin maya dəyəri cəmi 0,0001 (on mində bir) marka olmuşdur.
Müasir litoqrafiya texnologiyası ilə hazırlanan mükəmməl metal-yarımkeçirici kontakt hadisələri, nəzəri olaraq güman edilən bir sıra real faktorların təsiri nəzərə alınmaqla, beynəlxalq miqyasda geniş və intensiv tədqiq edilmişdir. Statistik məlumatlara görə, 1970-1980-ci illərdə, dünyada yarımkeçiricilər sahəsində ən çox məqalə metal-yarımkeçirici kontakt hadisələrin tədqiqinə həsr edilmiş, çoxsaylı orijinal və abzor məqalələr, monoqrafiyalar, dərsliklər dərc edilmiş və Beynəlxalq Elmi-Texniki Konfranslarda elmi məruzələr dinlənilmişdir. Real metal-yarımkeçirici kontaktların praktiki tətbiqində ciddi uğurlar əldə edilmiş, o cümlədən, böyük (on minlərlə kontakt komponentlərindən ibarət) və ifrat böyük (yüz minlərlə kontakt komponentlərindən ibarət) inteqral sxemlərin istehsalı genişlənmişdir. Eyni zamanda, XX əsrin sonuna qədər praktiki mövcud olan bütün yarımkeçiricilərlə müxtəlif metalların mümkün olan kontaktlarında baş verən elektron prosesləri geniş tədqiq edilmiş və tam məlum olmuşdur ki, real metal-yarımkeçirici kontakt fizikasında bir sıra problemlər öz həllini hələ də tapmamışdır. Bununla yanaşı, real metal - yarımkeçirici kontaktların hərtərəfli tədqiqi nəticəsində formalaşmış aydın fiziki mənzərə fonunda, ölkəmizdə aparılan əhatəli nəzəri araşdırmalar və məqsədyönlü eksperimental tədqiqatlar nəticəsində, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elektrik sahəsinin yaranması kimi yeni fiziki hadisə kəşf edilmişdir.
Real metal-yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elektrik sahəsinin yaranma hadisəsinin mühüm cəhətlərindən biri odur ki, bu hadisə onun aidiyyəti olduğu yarımkeçiricilər, yarımkeçirici cihazları, bərk cisimlər, nazik təbəqələr, səth fizikası, nanofizika kimi elm sahələrində, mikroelektronika, fiziki elektronika, optoelektronika, fotoelektronika, bioelektronika, nanoelektronika və digər elektron texnikası sahələrində yeni elmi istiqamətlərin açılmasının elmi əsasını təşkil edir.
Eyni zamanda, bu kəşf, müasir elektron texnikasının istisnasız olaraq bütün elektron qurğu və cihazlarının element bazalarını təşkil edən müxtəlif növ diskret yarımkeçirici cihazların, mikrosxemlərin, nanosxemlərin keyfiyyətinin yüksəldilməsinə və funksional imkanlarının genişləndirilməsinə, yeni sinif baza elementlərinin və inteqral sxemlərin hazırlanmasına imkanlar açır. Nüfuzlu xarici jurnallarda 2011-2012-ci illərdə dərc olunan elmi məlumatlara görə, artıq işıq enerjisini elektrik enerjisinə çevirən, əlavə elektrik sahəli yeni fotoelektrik çeviricilər (Alternativ enerji mənbəyi) yaradılmışdır ki, onlar işıq cərəyanını qaranlıq cərəyanına nisbətən 1000 (min) dəfə artırır (FTP,2011,v.45, №7, s.965). Halbuki, ənənəvi oxşar fotoelektrik çeviricilər (Alternativ enerji mənbəyi), işıq cərəyanını qaranlıq cərəyanına nisbətən cəmi təqribən 10 (on) dəfə artırır. Digər məlumatda isə bildirilir ki, əlavə elektrik sahəsinin təsiri nəticəsində metal-yarımkeçirici kontakt əsasında hazırlanmış fotoelektrik çeviricilərin həssaslığı gərginliyə görə 50 faiz və cərəyana görə isə 50 dəfə artır (“Microwave and Telecommunication Technology” 21th International Crimean Conference Publications, 2011, p.699). Böyük maraq kəsb edən məlumatlardan biri də odur ki, əlavə elektrik sahəli yeni Şottki diodları (İnformasiya və kommunikasiya texnologiyaları məhsullarının fəal komponentləri) hazırlanmışdır ki, onlar neqativ xarakterli əks cərəyana malik olmurlar (J.Microelectronics Reliability, 2012, v.52, № 2, p.418).
Xarici ölkə mütəxəssisləri tərəfindən xüsusi diqqət yetirilən, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda aşkar etdiyimiz əlavə elektrik sahəsinin yaranma hadisəsi haqqında geniş elmi məlumat, 2012-ci ilin ilk günlərindən başlayaraq 30-dan artıq xarici internet saytlarında (məsələn, www.nanometer.ru/news_list.html, www.people.su/70512, www.nanonewsnet.ru, www.novostinauki.ru/news/42839/ və s.) əvvəllər elmə məlum olmayan, ümumbəşəri əhəmiyyətə malik mühüm elmi yenilik kimi yayılmışdır və yayılmaqda davam edir.
Ölkəmizin mülkiyyətçisi olduğu bu elmi kəşf, müasir elektron texnikasının əhatə etdiyi elm və təhsil sahələri üzrə yeni dərsliklər, dərs vəsaitləri, monoqrafiyalar yazılması və respublikamızda innovasiyayönümlü və investisiya tutumlu elektron texnikası məhsulları istehsalı üçün xüsusilə yararlıdır. Mübaliğəsiz demək olar ki, ümumbəşəri əhəmiyyətli yeni Azərbaycan elminin, intellektual mülkiyyətinin, insanlara verə biləcəyi fayda, yuxarıda qeyd edilən məlum tranzistor effekti kəşfinin verdiyi ümumbəşəri fayda ilə müqayisə olunandır.
Rasim MƏMMƏDOV
Fizika-riyaziyyat elmləri doktoru, professor
 
  • Oxunub:  41550  |  
  • Tarix:  20-09-2012  |  
  •    Çap et   |  
Get Adobe Flash player
Milli Məclisdə 2019-cu ilin büdcə zərfinə daxil olan məsələlərin müzakirəsi davam etdirilib

20:15
15 Noyabr
Azərbaycan ilə Türkiyə arasında idman sahəsində əməkdaşlığın inkişafına dair fikir mübadiləsi aparılıb
20:12
15 Noyabr
İsveçrə və Azərbaycan arasında yüksək səviyyədə dialoq mövcuddur
20:07
15 Noyabr
XİN: Bako Saakyanın Fransaya səfəri oyuncaq qurumun beynəlxalq səviyyədə təşviqinə yönələn növbəti uğursuz cəhddir
20:02
15 Noyabr
Azərbaycan ərazisindən keçən nəqliyyat dəhlizlərinin əhəmiyyəti yaxın gələcəkdə artacaq
19:57
15 Noyabr
Nino Çikovani: Azərbaycan ilə Gürcüstan arasında iqtisadi münasibətlər çox yüksək səviyyədədir
19:54
15 Noyabr
Akademik Zərifə Əliyeva adına Milli Oftalmologiya Mərkəzinin Səyyar Klinikası Ədliyyə Nazirliyində aksiya keçirib
19:52
15 Noyabr
Vyanada müasir texnologiyaların dəmir yollarında tətbiqinə dair toplantı keçirilib
19:43
15 Noyabr
Siyavuş Novruzov: Müəyyən məsələlərlə bağlı dövlət büdcəsindən Milli Məclisə ayrılan vəsait artırılmalıdır
19:40
15 Noyabr
Əli Hüseynov: Qanunlara müvafiq dəyişikliklərin edilməsi onların normativ hüquqi aktlara uyğunlaşdırılması ilə bağlıdır
17:52
15 Noyabr
Narkotiklərlə Mübarizə üzrə 36-cı Beynəlxalq Konfransın gələn il Bakıda keçirilməsi ilə əlaqədar Təşkilat Komitəsi yaradılıb
17:47
15 Noyabr
Dağlıq Qarabağ bölgəsinin azərbaycanlı icması Bako Saakyanın Fransaya qanunsuz səfərini pisləyir
17:42
15 Noyabr
Böyük Azərbaycan şairi İmadəddin Nəsiminin 650 illik yubileyi qeyd ediləcək
17:37
15 Noyabr
AİDA və ADA Universiteti asiyalı və afrikalı diplomatlar üçün ölkəmizdə ixtisasartırma kursları təşkil edib
17:33
15 Noyabr
UNEC-də Türkiyə Universitetləri ilə əməkdaşlığa həsr olunan beynəlxalq konfrans
17:18
15 Noyabr
Bakıda “Azərbaycanda tolerantlıq: dünən, bu gün, sabah” mövzusunda konfrans keçirilib
16:58
15 Noyabr
Bişkekdə “İslam müasir sivil dövlətdə” adlı ikinci beynəlxalq konfrans öz işinə başlayıb
16:52
15 Noyabr
İtaliyanın “Radio Atene” kanalında Azərbaycandakı multikulturalizm ənənələrindən danışılıb
16:42
15 Noyabr
Azərbaycan Prokurorluğunun nümayəndə heyəti antikorrupsiya strategiyalarına dair beynəlxalq konfransda iştirak edib
15:45
15 Noyabr
Azərbaycan-Rusiya dövlət sərhədinin demarkasiyası üzrə Birgə Komissiyanın 6-ci iclası keçirilib
15:34
15 Noyabr
Bu il ölkədən 201 min tondan çox kimya sənayesi məhsulları ixrac olunub
15:26
15 Noyabr
“Ölkəmizi tanıyaq”: Məktəblilər Qubada ermənilərin törətdikləri soyqırımı haqqında ətraflı məlumatlandırılıblar
15:23
15 Noyabr
Məlahət İbrahimqızı: Azərbaycan beynəlxalq miqyasda nüfuzunu əhəmiyyətli dərəcədə atrırıb
15:17
15 Noyabr
Nizami Gəncəvi adına Ədəbiyyat İnstitutunun 85 illiyi qeyd olunub
15:07
15 Noyabr
Fransada keçirilən İnternet İdarəçilik Forumunda Azərbaycanda innovativ iqtisadiyyatın inkişafından danışılıb
14:43
15 Noyabr
Bakıda “Kulturoloji paradiqmalar və yeniləşən Azərbaycan” mövzusunda beynəlxalq konfrans keçirilir
14:25
15 Noyabr
Milli Məclisdə 2019-cu ilin dövlət büdcəsi ilə bağlı müzakirələr başa çatıb
13:52
15 Noyabr
Bişkekdə MDB-nin iştirakçısı olan dövlətlərin sərhədlərinin təhlükəsizliyinə dair fikir mübadiləsi aparılıb
13:46
15 Noyabr
Los Ancelesdə Azərbaycan-Pakistan-Türkiyə dostluq münasibətlərinə həsr olunmuş tədbir keçirilib
13:36
15 Noyabr
AMEA-nın Geologiya və Geofizika İnstitutunun 80 illik yubileyi qeyd olunub
12:39
15 Noyabr
Bakıda “Caspian Ecology” IX Azərbaycan Beynəlxalq Ətraf Mühit Sərgisi çərçivəsində elmi konfrans işə başlayıb
12:34
15 Noyabr
Baş Qərargah rəisi hərbi oyunların idarəetmə məntəqələrinin fəaliyyətini izləyib
12:30
15 Noyabr
Milli Məclisdə dövlət büdcəsi zərfinə daxil olan sənədlərin müzakirəsi davam etdirilir
12:17
15 Noyabr
Alim Quliyev: İlin sonunadək manatın məzənnəsinin sabitliyi qorunacaq
12:10
15 Noyabr
Bakı Ali Neft Məktəbi və “British Council” təşkilatı əməkdaşlığı genişləndirir
12:04
15 Noyabr
Prezident İlham Əliyev Beynəlxalq Paralimpiya Federasiyasının prezidentini qəbul edib
12:01
15 Noyabr
Diasporla İş üzrə Dövlət Komitəsinin nümayəndə heyətinin Kaliforniyada görüşləri davam edir
11:45
15 Noyabr
Əli Əhmədov: Hədəfimiz odur ki, daha çox qadın sahibkarlığa cəlb olunsun
11:38
15 Noyabr
Hikmət Babaoğlu: “Teoxarus Avropa Parlamenti qarşısında hesabat verməlidir”
11:17
15 Noyabr
Prezident İlham Əliyev Təzəpir məscidinin ətrafında görülən abadlıq-quruculuq işlərinin icra vəziyyəti ilə tanış olub
11:13
15 Noyabr
Çili Azərbaycanda diplomatik nümayəndəlik açmaq barədə qərar qəbul edib
11:08
15 Noyabr
Bakıda “Vəkillərin rolu və müstəqilliyi: müqayisəli perspektivlər” mövzusunda beynəlxalq konfrans işə başlayıb
11:02
15 Noyabr
Heydər Əliyev Fondu şəkərli diabet xəstəliyindən əziyyət çəkən uşaqların insulin preparatları ilə təmin olunması istiqamətində layihələr həyata keçirib
10:58
15 Noyabr
Bu gün Milli Məclisdə büdcə müzakirələri sona çatacaq
10:41
15 Noyabr
Qırğızıstan Prezidenti Türkdilli Dövlətlərin Xüsusi Xidmət Orqanları Konfransının XXI iclasının iştirakçılarını qəbul edib
10:32
15 Noyabr
15 noyabr – Dünya Fəlsəfə Günüdür
10:24
15 Noyabr
Ermənistan silahlı qüvvələrinin bölmələri sutka ərzində atəşkəs rejimini 26 dəfə pozub
10:21
15 Noyabr
Bakıda III Beynəlxalq Bankçılıq Forumu keçirilir
10:16
15 Noyabr
Bakıda Ümumdünya Antidopinq Agentliyinin Təsisçilər Şurasının və İcraiyyə Komitəsinin iclası keçirilir
19:00
14 Noyabr
Slovakiyanın Baş naziri Peter Pelleqrininin Azərbaycana rəsmi səfəri başa çatıb
18:21
14 Noyabr
Siyavuş Novruzov: Hazırda sosial sahədə aparılan islahatlar təqdirəlayiqdir
18:08
14 Noyabr
Nazir: Həyata keçirilən tədbirlər sığorta təminatı sisteminin inkişaf etdirilməsinə və sosial sığorta sisteminin potensialının tam gücləndirilməsinə imkan verəcək
17:58
14 Noyabr
Ağalar Vəliyev: 2019-cu ilin dövlət büdcəsi qarşıda duran mühüm vəzifələrinin layiqincə yerinə yetirilməsinə möhkəm zəmin yaradacaq
17:55
14 Noyabr
Sahil Babayev: Dövlət Sosial Müdafiə Fondunun 2019-cu il üçün xərcləri 3 milyard 928 milyon manat proqnozlaşdırılır
17:23
14 Noyabr
Dövlət Sosial Müdafiə Fondunun 2019-cu il üçün büdcəsi mövcud qanunvericiliyin tələblərinə uyğun hazırlanıb
17:23
14 Noyabr
Eldar İbrahimov: 2019-cu ilin dövlət büdcəsində kənd təsərrüfatının stimullaşdırılması daha dolğun nəzərə alınıb
17:17
14 Noyabr
Milli Elmlər Akademiyası BMT ilə əlaqələri gücləndirir
17:13
14 Noyabr
İsmayıllıda “Mənəvi dəyərlərimiz azərbaycançılıq ideologiyasının tərkib hissəsidir” mövzusunda seminar-müşavirə keçirilib
17:04
14 Noyabr
Moskvada “Xəzər dialoqu 2018” beynəlxalq iqtisadi forumu keçirilib
16:47
14 Noyabr
Beynəlxalq hüquq və öz müqəddəratını təyinetmə prinsipinin ermənisayaq təfsiri
16:41
14 Noyabr
Gündüz İsmayılov: Xurafat qüsurlu dini təbliğatın nəticəsidir
16:34
14 Noyabr
Azərbaycan və İtaliyanın hərbi-mülki əməkdaşlıq üzrə ekspertlərinin görüşü keçirilib
16:30
14 Noyabr
Bakıda MDB-nin iştirakçısı olan ölkələrin Daxili İşlər nazirliklərinin kadr aparatları rəhbərlərinin iclası işə başlayıb
16:28
14 Noyabr
Endryu Parsons: Azərbaycanda idmana və paralimpiya hərəkatına olan münasibət təqdirəlayiqdir
16:26
14 Noyabr
Sumqayıtda IV Uşaq Paralimpiya İdman Oyunlarının açılış mərasimi keçirilib
16:19
14 Noyabr
AMEA-da "Türkologiya" jurnalının fəaliyyətinə dair məruzə dinlənilib
16:04
14 Noyabr
Nazir: İnsanların sağlam ətraf mühitdə yaşamaq hüququnun təmin edilməsi ölkə rəhbərliyinin diqqət mərkəzindədir
15:51
14 Noyabr
Bəhruz Quliyev: Eleni Teoxarus Avropa dəyərlərini ekstremizm və separatizmlə əvəzləmiş katalizatordur
15:28
14 Noyabr
Diasporla İş üzrə Dövlət Komitəsinin nümayəndə heyəti Los-Ancelesdə bir sıra görüşlər keçirib
15:00
14 Noyabr
Türkmənistandan enerjidaşıyıcıların dünya bazarlarına çatdırılması üçün yeni marşrutlar yaradılır
14:58
14 Noyabr
Hərbi birliklər komanda-qərargah hərb oyunları çərçivəsində qarşıya qoyulan vəzifələri icra edirlər

Video

 

Müsahibə

 

Müəlliflər


»»»
ARXİV
B Be Ça Ç Ca C Ş
1 2 3
4 5 6 7 8 9 10
11 12 13 14 15 16 17
18 19 20 21 22 23 24
25 26 27 28 29 30
HAVA HAQQINDA